Erhöhung der Quellenlebensdauer bei Verwendung von Germaniumtetrafluorid
- Bei vielen Technologien in der Halbleiterfertigung ist es erforderlich, Germanium zu implantieren. Der Grund dafür, ist die Amorphisierung der Substratschichten. Da Germanium als reiner Stoff nur bei hohen Temperaturen verdampft werden kann, wird es in der Fertigung in Verbindung mit Fluor eingesetzt. Bei dieser Verbindung handelt es sich um Germaniumtetrafluorid. Da in jedem Gasmolekül vier Fluor-Atome enthalten sind, hat das stöchiometrische Verhältnis einen großen Einfluss auf die Ionenquellenlebenszeit. Diese ist im Vergleich zu anderen Hochstromprozessen, um ein Vielfaches niedriger. Der Grund für den hohen Verschleiß ist der Halogenkreisprozess. Dabei wird Material von der Quellenwandung abgetragen und lagert sich an den heißesten Stellen in der Quelle an. Um das Problem zu lösen, gibt es sehr viele Ansätze. Die Ionenquelle bietet in ihrem Aufbau viele Variationsmöglichkeiten. Aufgrund der unterschiedlichen, physikalischen Ansätze wurden folgende vier Schwerpunkte untersucht: - Einfluss Plasmakammervolumen - Plasmakammermaterialien
Author: | Frank Görbing |
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Advisor: | Matthias Schmeide, Ullrich Reinhold |
Document Type: | Diploma Thesis |
Language: | German |
Name: | Infineon Dresden GmbH Königsbrücker Strasse 180, 01099 Dresden |
Date of Publication (online): | 2011/11/30 |
Year of first Publication: | 2011 |
Date of final exam: | 2011/11/30 |
Tag: | Implantation |
GND Keyword: | Lanthanhexaborid; Ionenquelle |
Page Number: | 57 Seiten, 30 Abb., 5 Tab., 22 Lit. |
Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik |
Release Date: | 2019/10/30 |