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Erhöhung der Quellenlebensdauer bei Verwendung von Germaniumtetrafluorid

  • Bei vielen Technologien in der Halbleiterfertigung ist es erforderlich, Germanium zu implantieren. Der Grund dafür, ist die Amorphisierung der Substratschichten. Da Germanium als reiner Stoff nur bei hohen Temperaturen verdampft werden kann, wird es in der Fertigung in Verbindung mit Fluor eingesetzt. Bei dieser Verbindung handelt es sich um Germaniumtetrafluorid. Da in jedem Gasmolekül vier Fluor-Atome enthalten sind, hat das stöchiometrische Verhältnis einen großen Einfluss auf die Ionenquellenlebenszeit. Diese ist im Vergleich zu anderen Hochstromprozessen, um ein Vielfaches niedriger. Der Grund für den hohen Verschleiß ist der Halogenkreisprozess. Dabei wird Material von der Quellenwandung abgetragen und lagert sich an den heißesten Stellen in der Quelle an. Um das Problem zu lösen, gibt es sehr viele Ansätze. Die Ionenquelle bietet in ihrem Aufbau viele Variationsmöglichkeiten. Aufgrund der unterschiedlichen, physikalischen Ansätze wurden folgende vier Schwerpunkte untersucht: - Einfluss Plasmakammervolumen - Plasmakammermaterialien

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Metadaten
Author:Frank Görbing
Advisor:Matthias Schmeide, Ullrich Reinhold
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Name:Infineon Dresden GmbH
Königsbrücker Strasse 180, 01099 Dresden
Date of Publication (online):2011/11/30
Year of first Publication:2011
Date of final exam:2011/11/30
Tag:Implantation
GND Keyword:Lanthanhexaborid; Ionenquelle
Page Number:57 Seiten, 30 Abb., 5 Tab., 22 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2019/10/30