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Untersuchungen an MOSFET-Leistungstransistoren

  • Die Arbeit beschäftigt sich mit statischen und dynamischen Modellen der SIPMOS- und VDMOS-FET. Es werden Wege der Parameterextraktion gezeigt. Der Einsatz der MOSFET's wird an Anwendungsbeispielen erläutert. <!-- #h:dissdiplParameterextraktion.doc# -->

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Metadaten
Author:Dietmar Buchheim
Advisor:Peter Baumann
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2000/09/11
Year of first Publication:1995
Date of final exam:1995/11/28
GND Keyword:Parametersystem
Page Number:109 Seiten, 82 Abb., 27 Tab., 27 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik
Release Date:2000/09/11