Charakterisierung von Poliertucheigenschaften auf das Defektdichteniveau im STI-CMP-Prozess mit Ceroxid basierender Slurry
Characterization of polishing pad properties in terms of defect density level in STI CMP process with ceria-based slurry
- In der Diplomarbeit wird an einer Auswahl von Poliertüchern untersucht, inwieweit eine Reduktion der Anzahl an Defekten pro Wafer (Defektdichte) gegenüber einem Referenzprozess möglich ist. Das Hauptaugenmerk liegt dabei auf der Reduktion von Mikrokratzern. Dazu wird für jedes Poliertuch der jeweilig nutzbare Prozessraum ermittelt und ein geeigneter Arbeitsbereich für eine Defektdichteoptimierung definiert. Neben den Auswirkungen auf Mikrokratzer werden die auf die Poliertuchtypen optimierten Prozesse hinsichtlich weiterer Prozesskenngrößen untersucht. Dabei steht die Planarisierung als eines der wichtigsten Ziele des Chemisch-Mechanischen Polierens im Vordergrund.
Author: | Stefan Lösch |
---|---|
Advisor: | Christel Reinhold, Olaf Kühn |
Document Type: | Diploma Thesis |
Language: | German |
Name: | Infineon Technologies Dresden GmbH Königsbrücker Straße 180, 01099 Dresden |
Date of Publication (online): | 2018/02/22 |
Year of first Publication: | 2011 |
Date of final exam: | 2011/12/01 |
Tag: | Defektdichte; Mikrokratzer; Planarisierung; Poliertuch |
GND Keyword: | Defekt; Kratzer; Chemisch-mechanisches Polieren; Halbleiter; Halbleiterindustrie; Halbleiteroberfläche; Chip |
Page Number: | 61 Seiten, 47 Abb., 5 Tab., 57 Lit. |
Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik |
Release Date: | 2018/02/22 |