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Charakterisierung von Poliertucheigenschaften auf das Defektdichteniveau im STI-CMP-Prozess mit Ceroxid basierender Slurry

Characterization of polishing pad properties in terms of defect density level in STI CMP process with ceria-based slurry

  • In der Diplomarbeit wird an einer Auswahl von Poliertüchern untersucht, inwieweit eine Reduktion der Anzahl an Defekten pro Wafer (Defektdichte) gegenüber einem Referenzprozess möglich ist. Das Hauptaugenmerk liegt dabei auf der Reduktion von Mikrokratzern. Dazu wird für jedes Poliertuch der jeweilig nutzbare Prozessraum ermittelt und ein geeigneter Arbeitsbereich für eine Defektdichteoptimierung definiert. Neben den Auswirkungen auf Mikrokratzer werden die auf die Poliertuchtypen optimierten Prozesse hinsichtlich weiterer Prozesskenngrößen untersucht. Dabei steht die Planarisierung als eines der wichtigsten Ziele des Chemisch-Mechanischen Polierens im Vordergrund.

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Metadaten
Author:Stefan Lösch
Advisor:Christel Reinhold, Olaf Kühn
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Name:Infineon Technologies Dresden GmbH
Königsbrücker Straße 180, 01099 Dresden
Date of Publication (online):2018/02/22
Year of first Publication:2011
Date of final exam:2011/12/01
Tag:Defektdichte; Mikrokratzer; Planarisierung; Poliertuch
GND Keyword:Defekt; Kratzer; Chemisch-mechanisches Polieren; Halbleiter; Halbleiterindustrie; Halbleiteroberfläche; Chip
Page Number:61 Seiten, 47 Abb., 5 Tab., 57 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2018/02/22