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Elektrische und optoelektronische Eigenschaften siliziumbasierender Lichtemitter mit durch Atomlagenabscheidung hergestellten Tb2O3-SiO2 Mischschichten

  • In dieser Arbeit wurden siliziumbasierende Lichtemitter, welche mit Terbium dotiert sind, hinsichtlich ihrer elektrischen und optoelektrischen Eigenschaften untersucht. Dabei wurde die aktive Schicht erstmals mittels ALD-Abscheidung hergestellt. In dieser Versuchsreihe wurde die Terbiumkonzentration variiert und zusätzliche Schichten aus Aluminiumoxid eingebracht, um deren Einfluss auf die Eigenschaften der Lichtemitter zu untersuchen. Die Untersuchten Proben zeigten alle eine intensive Elektrolumineszenz bei 540 nm. Bei zu hoher Tb-Konzentration kommt es durch zusätzlich nicht-strahlenden Übergänge zu einer sinkenden Effizienz. Die bei 2 Wafern zusätzlich eingebrachten Al2O3-Schichten reduzierten den Anteil der nicht-strahlenden Übergänge und führen zu Leistungseffizienzen von bis zu 0.1%. Die zusätzlichen Al2O3-Schichten führen außerdem zu einer geringeren Fluoreszenzlöschung während der Lebensdauer des Lichtemitters. Somit konnte grundsätzlich gezeigt werden, dass sich die ALD-Abscheidung zur Herstellung Si-basierter Lichtemitter eignet.

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Metadaten
Author:Martin Braun
Advisor:Jürgen Grimm, Lars RebohleGND
Document Type:Bachelor Thesis
Language:German
Name:Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Bautzner Landstraße 400, 01314 Dresden
Date of Publication (online):2018/02/22
Year of first Publication:2014
Publishing Institution:Westsächsische Hochschule Zwickau
Date of final exam:2014/03/10
Tag:Terbium; siliziumbasierender Lichtemitter
Page Number:40 Seiten, 27 Abb., 2 Tab., 31 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik
Release Date:2018/02/22