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Defektreduzierte Al2O3-Abscheidung mit reaktiven Puls-Magnetron-Sputtern für die Oberflächenpassivierung von kristallinem Silizium

Defect reduced Al2O3-Deposition with reactive Puls-Magnetron-Sputtering for the surface passivation of crystalline silicon

  • Aluminiumoxid hat das Potential herkömmliche Oberflächenpassivierungen als besserer Passivator von Silizium basierten Solarzellen abzulösen. Seit 2004 werden Al2O3-Dünnschichten als Passivierung für kristallines Silizium erforscht. Optimierte Sputterprozesse anderer Forschungsgruppen erreichen eine Oberflächenrekombinations-geschwindigkeit von SORG = 2
  • Aluminum oxide has the potential to supersede conventional surface passivation as a better passivator of silicon based solar cells. Since 2004 Al2O3 thin layers are investigated as passivation for crystalline silicon. Optimized sputter processes reach a surface recombination velocity of SORG = 2

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Metadaten
Author:David Tröger
Advisor:Andreas NeidhardtGND, Dietmar Temmler
Document Type:Master's Thesis
Language:German
Name:Fraunhofer Institut für Elektronen- und Plasmatechnik
Winterbergstraße 28, 01277 Dresden
Date of Publication (online):2018/02/22
Year of first Publication:2016
Publishing Institution:Westsächsische Hochschule Zwickau
Date of final exam:2016/09/19
Tag:Aluminiumoxid; Puls-Sputtern; defekreduziert
aluminum oxide; puls-sputtern; solar cell; surface passivation
GND Keyword:Oberflächenpassivierung; Solarzelle
Page Number:86 Seiten, 35 Abb., 9 Tab., 89 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2018/02/22