Untersuchungen zur Prozeßoptimierung für die Abscheidung dünner Schichten aus kubischen Bornitrid

  • Kubisches Bornitrid stellt als zweithärtest bekannter Stoff wegen seiner besseren chemischen Beständigkeit eine potentielle Alternative zu Diamant dar. Mit zwei unterschiedlichen Plasmabeschichtungsver-fahren, dem reaktiven Hochfrequenzdiodensputtern und den reaktiven Ionenplattieren, wurden Schichten aus kubischem Bornitrid abge-schieden. Eine entscheidende Rolle spielt bei diesen Prozessen der Ionenbeschuss des Substrates. Beim Diodensputtern wurde hauptsächlich das Wachstum in Abhängigkeit von verschiedenen Prozessparametern untersucht, um die Instabilität der Schichten zu minimieren. Das Konzept der 'reduzierten' Wachstumsbedingungen wurde dabei auf einen RF-Bias-Prozess ausgedehnt. Durch Neugestaltung eines Heizers wurde ein Abscheiden bei höheren Temperaturen möglich. Zur Herstellung kubischer Bornitridschichten mittels Ionenplattieren konnte grundsätzlich ein Prozess erarbeitet werden. Durch Parameter-variation wurde ein Bereich guter Homogenität über größer Flächen gefunden. Durchgeführte Beschichtungsversuche auf Hartmetallsubstraten sollten auf anwendungsnahe Einsatzmöglichkeiten des Schichtsystems hinarbeiten. <!-- #h:dissdiplKubisches Bornitrid.doc# -->

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Metadaten
Author:Matthias Nestler
Advisor:Andreas NeidhardtGND
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2000/09/11
Year of first Publication:1999
Date of final exam:1999/10/15
GND Keyword:Sputtern; Schichtdicke; Ionenplattieren
Page Number:50 Seiten, 40 Abb., 8 Tab., 43 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2000/09/11