Elektrische Charakterisierung von high-k Speicherdielektria von DRAM-Anwendungen
- In dieser Arbeit wird Aluminiumoxid als high-k Speicherdielektrikum mit Hilfe von spannungsbezogenen Leckstrom- und Kapazitätsmessungen untersucht. Nach der Erläuterung der Funktionsweise eines DRAMs, der elektischen Größen Kapazität und Leckstrom, der Abscheidung von Aluminiumoxid mit dem ALD-Verfahren und des verwendeten Messaufbaus steht die elektrische Anlage von verschiedenen Varianten der Aluminiumoxidabscheidung im Mittelpunkt.
MetadatenAuthor: | Anderé Wahl |
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Advisor: | Wieland Zahn |
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Document Type: | Diploma Thesis |
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Language: | German |
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Date of Publication (online): | 2005/02/02 |
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Year of first Publication: | 2001 |
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Date of final exam: | 2001/09/28 |
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Tag: | Atomio Layer Deposition; DRAM; Grabenstruktur; Kapazität; Leckstrom |
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Page Number: | 58 Seiten, 47 Abb., - Tab., 37 Lit. |
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Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik |
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Release Date: | 2005/02/02 |
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