Elektrische Charakterisierung von high-k Speicherdielektria von DRAM-Anwendungen

  • In dieser Arbeit wird Aluminiumoxid als high-k Speicherdielektrikum mit Hilfe von spannungsbezogenen Leckstrom- und Kapazitätsmessungen untersucht. Nach der Erläuterung der Funktionsweise eines DRAMs, der elektischen Größen Kapazität und Leckstrom, der Abscheidung von Aluminiumoxid mit dem ALD-Verfahren und des verwendeten Messaufbaus steht die elektrische Anlage von verschiedenen Varianten der Aluminiumoxidabscheidung im Mittelpunkt.

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Metadaten
Author:Anderé Wahl
Advisor:Wieland Zahn
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2005/02/02
Year of first Publication:2001
Date of final exam:2001/09/28
Tag:Atomio Layer Deposition; DRAM; Grabenstruktur; Kapazität; Leckstrom
Page Number:58 Seiten, 47 Abb., - Tab., 37 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2005/02/02