Elektrische Charakterisierung von mittels Atomic Layer Deposition hergestellten Al2O3 Schichten, zum Einsatz als Inter-Poly-Dielektrikum in Flash-Speicherzellen
Electrical characterization of Al2O3 layers produced by Atomic Layer Deposition, for the use as inter-poly-dielectric in flash memory cells
- Ziel der Arbeit ist die elektrische Charakterisierung von Aluminiumoxidschichten (Al2O3), welche durch Atomlagenabscheidung (ALD) hergestellt wurden. Die Schichten wurden auf blanken Siliziumscheiben in Batch-Ofen-Systemen abgeschieden, wobei sowohl die Temperaturen während der Abscheidung, als auch die Anzahl der Zyklen variiert wurden. Die Prozesstemperaturen betrugen im geringsten Fall 200°C, im Maximum 400°C. Die Precursor des Prozesses waren Trimethylaluminium (TMA) und Ozon (O3). Zusätzlich wurden die Proben per
| Author: | Sebastian Krueger |
|---|---|
| Advisor: | Andreas NeidhardtGND, Ralf Zedlitz |
| Document Type: | Diploma Thesis |
| Language: | German |
| Name: | Infineon Technologies Dresden GmbH und Co. OHG Königsbrücker Str. 180, 01099 Dresden |
| Date of Publication (online): | 2009/11/19 |
| Year of first Publication: | 2009 |
| Date of final exam: | 2009/03/03 |
| Tag: | Äquivalenzschichtdicke Equivalent oxide thickness |
| GND Keyword: | Aluminiumoxide; Leckstrom; Elektrischer Durchbruch; Dielektrizitätszahl |
| Page Number: | 56 Seiten, 38 Abb., - Tab., 14 Lit. |
| Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik |
| Release Date: | 2009/11/19 |
