Silizium-Kondensatoren für schnellschaltende Leistungsmodule
- Die Anwendbarkeit von Si-Kondensatoren für schnellschaltende Leistungsmodule wird untersucht. Diese Kondensatoren sollen, in einem passiven Schaltungsnetzwerk (Snubber), zur Reduzierung von Überspannungen in den Ausschaltvorgängen der Transistoren in Leistungsmodulen beitragen. Hierfür wird der Aufbau, die Wirkungsweise und die Dimensionierung der Snubber-Bauelemente für verschiedene Snubber-Schaltungen erarbeitet. Ebenfalls werden der Aufbau und die Wirkungsweise der Si-Kondensatoren zusammengetragen und die vorhandenen Si-Kondensatoren charakterisiert. Die Wirkungsweise der Si-Kondensatoren auf das Schaltverhalten einer SiC-MOSFET-Halbbrückenschaltung wird anhand eines Testaufbaus untersucht und mit Keramik- und Folienkondensatoren verglichen.
| Author: | Sebastian Frunzke |
|---|---|
| Advisor: | Gerhard TemmelGND, Jürgen Grimm |
| Document Type: | Diploma Thesis |
| Language: | German |
| Name: | Robert Bosch GmbH Tübinger Straße 123, 72762 Reutlingen |
| Date of Publication (online): | 2014/12/01 |
| Year of first Publication: | 2014 |
| Date of final exam: | 2014/08/06 |
| Tag: | Snubber |
| GND Keyword: | MOS-FET; Silicium; Siliciumcarbid; Schutzschaltung; Halbbrückenschaltung; Zwischenkreis |
| Page Number: | 78 Seiten, 82 Abb., 10 Tab., 20 Lit. |
| Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik |
| Release Date: | 2014/12/01 |
