Leitungsmechanismen von Siliziumkarbid (SiC) - Schottky - Dioden in Sperr-und Durchlassrichtung
- Inhalt dieser Diplomarbeit ist die Simulation einer Schottky-Diode (4H-SiC) in Sperr-und Durchlassrichtung.
Author: | Manuel Eisel |
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Advisor: | Gerhard TemmelGND |
Document Type: | Diploma Thesis |
Language: | German |
Name: | Fraunhofer IISB Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen |
Date of Publication (online): | 2016/02/08 |
Year of first Publication: | 2016 |
Date of final exam: | 2016/01/07 |
Tag: | 4H-SiC; Leitungsmechanismen; Schottky-Diode |
Page Number: | 69 Seiten, 53 Abb., 7 Tab., 53 Lit. |
Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik |
Release Date: | 2016/02/08 |