Leitungsmechanismen von Siliziumkarbid (SiC) - Schottky - Dioden in Sperr-und Durchlassrichtung

  • Inhalt dieser Diplomarbeit ist die Simulation einer Schottky-Diode (4H-SiC) in Sperr-und Durchlassrichtung.

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Metadaten
Author:Manuel Eisel
Advisor:Gerhard TemmelGND
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Name:Fraunhofer IISB
Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen
Date of Publication (online):2016/02/08
Year of first Publication:2016
Date of final exam:2016/01/07
Tag:4H-SiC; Leitungsmechanismen; Schottky-Diode
Page Number:69 Seiten, 53 Abb., 7 Tab., 53 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik
Release Date:2016/02/08