Abscheidung und Charakterisierung von PECVD- und ICPECVD-SiC Schichten
- In der vorliegenden Arbeit wurden mittels PECVD und ICPCVD hergestellte SiC-Schichten hinsichtlich ausgewählter Schichteigenschaften, wie Brechungsindex, Schichtdicke bzw. Wachstumsrate, Homogenität, Bindungsverhältnissen, Schichtspannung und Schichtzusammensetzung, untersucht. Ziel dabei die Herstellung spannungsarmer bzw.
| Author: | Timm Warnk |
|---|---|
| Advisor: | Xuemei Wang |
| Document Type: | Bachelor Thesis |
| Language: | German |
| Name: | SENTECH Instruments GmbH Schwarzschildstraße 2, 12489 Berlin |
| Date of Publication (online): | 2018/02/22 |
| Year of first Publication: | 2014 |
| Publishing Institution: | Westsächsische Hochschule Zwickau |
| Date of final exam: | 2014/10/24 |
| GND Keyword: | Beschichten; Siliciumcarbid; ICP; CVD-Verfahren |
| Page Number: | 39 Seiten, 33 Abb., 4 Tab., 10 Lit. |
| Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik |
| Release Date: | 2018/02/22 |
