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In der Halbleiterindustrie spielt die Fehleranalyse von defekten Bauteilen eine bedeutende Rolle. Damit Bauteile, zum Beispiel mittels Infrarotspektroskopie, auf Fehler untersucht werden können, muss als Vorpräparation dienender Arbeitsschritt realisiert werden. Mit Hilfe von Ultrakurzpulslaser wird das Substratmaterial (Silizium) eines integrierten Schaltkreises, ohne nennenswerte Schädigung der umliegenden Strukturen, auf wenige Mikrometer abgedünnt. Die fertigungsbedingte Biegung des Siliziums muss dabei berücksichtigt werden.
In dieser Bachelorarbeit werden die Prozessparameter Pulsenergie und Pulsabstand von verschiedenen Ultrakurzpulslasersystemen, sowie die Größe der abzutragenden Fläche, auf deren Einfluss auf die Ablationsrate untersucht und anschließend dargestellt. Diese ermittelten Daten geben die Basis für eine Berechnung des Materialabtrages, welche zur Optimierung des o.g. Arbeitsschrittes dienen soll. Zeit- und kostenintensive Vortests zur Abtragsrate sollen damit entfallen.