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Die vorliegende Bachelorarbeit leistet einen Beitrag zum Aufbau eines in situ arbeitenden Laserpartikelzählers mit Echtzeitmessung für Ionenimplanter. Es werden unterschiedliche Komponenten, wie z.B. Lichtdetektoren, untersucht und diese zu einem Partikelzählmessplatz, der in atmosphärischer Umgebung betrieben wird, kombiniert. Das Funktionsprinzip des Messplatzes und das Auftreten von Partikelsignalen in Koinzidenz werden gezeigt. Es werden Möglichkeiten zur Verknüpfung der beiden Detektorausgangssignale vorgestellt und die Auswirkungen bei Koinzidenzverletzung untersucht. Ein weiterer Bestandteil ist die Automatisierung der Partikelerkennung. Dazu wird ein Auswertealgorithmus vorgestellt, der Partikel zählt und nach Höhe und Breite klassiert. Unter dessen Verwendung werden Einflüsse wie Samplerate der Messwerterfassung und Ausrichtung der Polarisationsebene der Laserstrahlung zu den Detektoren auf die Effizienz der Partikelzählung untersucht. Zum Abschluss werden Messabweichungen infolge der Messwerterfassung diskutiert.
Das Ziel war es einen neuen Photoresist in die Lithographie, im Aluminium BEOL in der 28 nm Technologie, einzuführen. Um dies zu gewährleisten war es nötig einen Vergleich zwi-schen dem POR Resist und dem neuen Resist anzustellen. Nicht nur durch Experimente, wie Belichten verschiedener FEMs, sondern auch durch die Charakterisierung der Pro-zessparameter und des Prozessfensters ist es möglich eine Resistevaluierung durchzuführen. Aber auch auf nachfolgende Prozesse, wie Resistverhalten nach dem Ätzen oder Verhalten der elektrischen Werte, muss eingegangen werden um eine erfolgreiche Resistumstellung zu garantieren.
Als Ausgangspunkt der Arbeit auf dem Gebiet der Quantum Dot LEDs (QD-LEDs) wurden bereits verschiedene Materialien für Ladungsträgertransportschichten (engl. charge transport layer, CTL), verschiedene Sorten Quantum Dots (QDs) und Aufbringungsmethoden von dünnen Schichten untersucht. Über Langzeitstudien und Degradation war bis dato noch wenig bekannt. Es gab lediglich die Erkenntnis, dass die Elektrolumineszenz (EL) der QD-LED bei Inbetriebnahme einen sofortigen und starken Abfall über der Betriebszeit zeigte. Es gab die Vermutung, dass infolge einer hohen Stromdichte und damit einer hohen Temperatur im Bauteil, die organischen CTLs und auch die emittierenden QDs irreversibel geschädigt werden. Ziel dieser Arbeit ist es, mithilfe genauer Untersuchungen an CTLs und an QDs, die Effizienz und Lebensdauer der QD-LEDs zu erhöhen. Dazu wurden verschiedene Herstellungsparameter variiert wie z.B. die Herstellungsumgebung, die Präparation der Lochinjektionsschicht (engl. hole injection layer, HIL), die Schichtdicke und das Tempern der QD-Schicht, die Substratvorbehandlung und die Verkapselung des Bauteils. Anschließend wurde deren Einfluss auf die elektrooptischen Eigenschaften und das Langzeitverhalten untersucht. Des Weiteren galt es herauszufinden, welche möglichen Degradationsmuster bei den QD-LEDs auftreten und worin deren Ursachen liegen. Aufgrund einer verbesserten Präparation der HIL, bestehend aus Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS), konnten elektrisch leitfähige und stabile Schichten ohne elektrische Kurzschlüsse hergestellt werden. Durch das gezielte Tempern von QDs konnte mithilfe von Photolumineszenzmessungen herausgefunden werden, dass die verschiedenen Sorten von QDs eine sehr unterschiedliche thermische Stabilität besitzen. Des Weiteren konnte durch eine Vorbehandlung des Substrates aus Indiumzinnoxid (engI. indium tin oxide, ITO) mit einem Sauerstoffplasma, der Kontaktwinkel verringert und die Oberflächenenergie erhöht werden. Aufgrund der verbesserten Adhäsion von PEDOT:PSS entstand somit ein stabilerer Kontakt zwischen den beiden Schichten, wodurch die Langzeitstabilität der QD-LED leicht erhöht werden konnte. Ein Abkühlen des Bauteils nach dem Tempern jeder einzelnen Schicht während des Herstellungsprozesses, bewirkt dabei ebenfalls eine Steigerung der Langzeitstabilität. Durch eine Variation der Schichtdicke der QD-Schicht konnte zudem die optische Leistungsdichte erhöht werden. Im Gegensatz dazu konnte durch eine teilweise Herstellung der QD-LED in einer vereinfachten Glovebox und unter Inertgasatmosphäre, keine Verbesserung der optischen Leistungsdichte und der Langzeitstabilität nachgewiesen werden. Eine Kapselung des Bauteils durch eine mit Epoxidharz befestigten Glasplatte auf der Bauteiloberfläche, führte dabei zu einer starken Verschlechterung der optischen Leistungsdichte der QD-LED. Die Langezeitstabilität des Bauteils wurde durch eine Kapselung zudem nur geringfügig verbessert. Des Weiteren konnte mithilfe von Pulsmessungen der EL und der Photolumineszenz (PL) an einer QD-LED, ein Rückschluss auf die im Bauteil vorliegende Temperatur bei Inbetriebnahme gezogen werden. Insgesamt wurden durch eine verbesserte Herstellung der Bauteile, die elektrooptischen Eigenschaften der QD-LEDs deutlich verbessert. Die Langzeitstabilität der Bauteile konnte dabei durch eine teilweise Herstellung der Proben in einer Inertgasatmosphäre und durch eine Kapselung nicht erhöht werden. Eine Möglichkeit besteht darin, andere Schichtmaterialien und/oder eine invertierte Bauteilstruktur zu testen. Ferner ist eine Präparation der QD-LEDs in einer Glovebox unter reiner Stickstoffatmosphäre zwingend notwendig, um die Effizienz und Langzeitstabilität der QD-LEDs nachhaltig erhöhen zu können.
Die Reduzierung von unerwünschten Mantelmoden in Glasfasern stellt in der Faseroptik nach wie vor ein herausforderndes Problem dar. Durch Mantelmoden wird nicht nur die Funktionalität von Glasfasersystemen begrenzt, sondern auch die Strahlqualität negativ beeinträchtigt. Weiterhin kann die unkontrollierte Ausbreitung von Mantelmoden in der Zerstörung von Fasersystemen resultieren und muss besonders bei Hochleistungsanwendungen im Kilowattbereich berücksichtigt werden. Ziel dieser Arbeit war die Untersuchung einer neuen Methode zur Entfernung von Mantelmoden aus Glasfasern mit Mantelmodenabstreifern. In dieser Bachelorarbeit wird das Verfahren zur Herstellung der Mantelmodenabstreifer vorgestellt. Das Verfahren basiert auf der Mikrostrukturierung von Glasfaser durch einen CO2 - Laser. Weiterhin wird auf die Messtechnik zur Charakterisierung der Mantelmodenabstreifer eingegangen. Darüber hinaus werden experimentelle Ergebnisse mit den erzeugten Mantelmodenabstreifern gezeigt. Dabei wurde speziell die Dämpfung und der Einfluss auf die numerische Apertur von Signalen untersucht. Zudem werden Resultate gezeigt, bei denen mehr als 98 % der Leistung auf einer strukturierten Länge von 30 mm entfernt werden konnten.
Gegenstand der Arbeit ist es, die Möglichkeit des Einsatzes von Lasertechnik zum Tempern von Metallisierungen zur Ablösung des konventionellen Ofenprozesses zu untersuchen. Dazu wird die Rückseitenstruktur einer Siliziumsolarzelle, bestehend aus Aluminiumpaste, mittels Laser gesintert. Die Möglichkeit der Erzeugung einer Leiterbahn sowie eines Metall-Halbleiter-Kontaktes zwischen einer Metallpaste und Silizium konnte dabei erfolgreich nachgewiesen und parametrisiert werden. Zur Parametrisierung des Lasersinterprozesses wurde eine charakteristische Formel entwickelt, welche die für den Anwender notwendigen Parameter für das Erreichen definierter Widerstände liefert. Dabei konnte ein minimaler Leiterbahnwiderstand von ca. 11,5 mOhm, bei einer 1000 µm breiten und 200 µm hohen Bahn erzeugt und ein ohmsches Kontaktverhalten der Leiterbahn zum Silizium erreicht werden. Der minimal erreichte Kontaktwiederstand beträgt dabei 24Ohm. Zusätzlich wurde der strukturierte Auftragsprozess der Aluminiumpaste mittels einer Mikrodosiereinheit parametrisiert. Dabei konnten erfolgreich Bahnbreiten zwischen 700
Kernthema dieser Bachelor Thesis ist die Erarbeitung eines grundlegenden Ablaufplans zur Qualifikation und Freigabe eines neuen Lötstopplacks und dessen beispielhafte Durchführung anhand einer neuen weißen Lötstoppmaske. Diesbezüglich werden wissenschaftliche Hintergründe zu den gewählten Testmethoden erläutert und die durchgeführten Versuche sowie die verwendeten Anlagen, Geräte und Parameter präsentiert. Unter Bewertung der Eignung der genutzten Prüfverfahren und Berücksichtigung der gestellten Anforderungen an eine Stopplackschicht erfolgt eine rationale Auswertung und Diskussion der gewonnenen Versuchsergebnisse und Erkenntnisse.
Die Doppelseitenpolitur (DSP) ist ein wichtiger Bearbeitungsschritt bei der Herstellung von Siliziumwafern, welcher zur Planarisierung der Waferoberfläche und Entfernung der Restdefekte der vorhergehenden Schritte benutzt wird. Im Rahmen dieser Arbeit wurden die Ursachen für die während der DSP-Politur auftretenden Geräusche im Bereich von ca. 850 Hz untersucht, die auf den Stick-Slip- (Haft-Gleit-) Effekt zurückzuführen sind. Die Geräusche wurden aufgenommen und mittels FFT-Analyse charakterisiert. Für den Wafer wurde ein FEM-Modell erstellt, mit dessen Hilfe eine Eigenfrequenzanalyse durchgeführt worden ist. Es wurde nachgewiesen, dass die Frequenz der untersuchten Geräusche der Eigenfrequenz des Wafers entspricht. Des Weiteren wurde festgestellt, dass die Poliermittelfilmdicke hauptsächlich für das Auftreten des Stick-Slips und damit für die Anregung des Wafers maßgebend ist. Abschließend wird ein Modell zur Entstehung des Stick-Slip Effektes bei DSP erstellt und beschrieben.
Der Halbleiterhersteller X-FAB bietet eine Reihe von Technologien (z.B. XH018) in denen CMOS-Photodioden hergestellt werden. Am Ende der Prozessierung werden die Halbleiterbauelemente auf Waferebene geprüft. Bislang konnten nur rein elektrische Parameter wie Kapazitäten oder Durchbruchsspannungen im Prozess Monitoring geprüft werden. Für optoelektronische Parameter, wie beispielsweise die Sensitivität von Photodioden, wird eine flexible Beleuchtung benötigt, die in das bestehende Testsystem integriert werden kann. Die homogene Beleuchtung soll dabei mit verschiedenen Wellenlängen erfolgen, welche das relevante Spektrum repräsentieren. Hauptziel ist die reproduzierbare Messung von Photoströmen, wodurch Prozessunterschiede in dielektrischen Schichten detektiert werden können, die mit rein elektrischen Messung nicht erfasst werden. Bei dem vorgestellten Konzept wird neben der Photodiode auch der umliegende Siliziumwafer beleuchtet. Dadurch entstehen laterale Ladungsträger, welche den Photostrom beeinflussen können. Zur Abschätzung dieses Einflusses wurden Teststrukturen entwickelt und ausgewertet.
Die Konzeptstudie befasst sich mit der Evaluierung unterschiedlicher Konzepte von Avalanche Photodioden in einer 0,18 µm CMOS- Hochvolttechnologie. Die Anforderungen für die Avalanche Photodioden liegen bei einer Durchbruchspannung von 14 V in Sperrrichtung und haben eine maximale Quanteneffizienz von 850 nm/940 nm im nahen infraroten Bereich. In Betracht wurden fünf verschiedene Strukturen gezogen. Anhand von TCAD-Simulationen ließen sich unterschiedlichen Parameter der APDs untersuchen und Prozesseinflüsse definieren. Ein Abgleich der Simulationsmodelle erfolgt über die Messung mit einer Referenzdiode. Mit dieser Vergleichsmessung lässt sich die Gültigkeit der Simulation bestätigen oder widerlegen. Nur so können die Ergebnisse der APDs eingeordnet werden.
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Untersuchung des selektiven Laserdotierens von Siliziumoberflächen mit Phosphorsäure mittels der LCP-Technologie. Mit der selektiven Hochdotierung soll der Kontaktwiderstand unter den metallischen Kontakten bei Metall-Halbleiter-Übergängen reduziert werden. Dadurch soll der Wirkungsgrad bei Siliziumsolarzellen gesteigert werden. Die Arbeit beschäftigt sich mit den Grundlagen der Eigenschaften von Halbleitern und des Laser-Chemischen Prozessierens. Um die Ergebnisse der Versuche messtechnisch bewerten zu können, wird die Raman-Spektroskopie, die Längen Transfer Methode (TLM) und die 4 Spitzen Messung (4PP) verwendet. Die Arbeit beschäftigt sich auch mit den Grundlagen dieser Messmethoden. Für die Grunduntersuchungen wurden Versuche an monokristallinen Wafern durchgeführt. Für eine spätere industrielle Fertigung von Solarzellen wurden Versuche an polykristallinen Wafern durchgeführt. Für die Versuche werden zwei Arten von Phosphorsäure verwendet, zum einen industriereine Phosphorsäure und zum anderen hochreine Phosphorsäure. In der Vorbereitung werden die Probengeometrien und ihre Anpassung für die Messmethode erklärt. Ausgehend von der Einarbeitung in die Anlage wurde ein Plan für die Versuche festgelegt. Bei den Versuchen wurden die Prozessparameter hinsichtlich deren Einfluss auf die Konzentration der Dotierung untersucht und optimiert. Dabei ergab sich für den Flüssigkeitsdruck, dass dieser keinen großen Einfluss auf Prozess hat. Die maximale Bearbeitungsgeschwindigkeit in den Versuchen lag bei 200 mm/s. Bei der Reduzierung der Säurekonzentration zeigte sich, dass das Maximum für die Konzentration der Dotierung zu geringeren Pulsenergien verschoben wird. Bei den Versuchen wurden die Laserparameter bestimmt bei denen eine maximale Dotierung von 10^19 cm^-3 erzeugt werden konnte. Die Pulsfrequenz hatte bei der untersuchten Bearbeitungsgeschwindigkeit von 200 mm/s dabei keine Auswirkung auf den Dotierprozess. Der Kontaktwiderstand wurde mit der Längen Transfer Methode bei monokristallinen und polykristallinen Wafern untersucht. Bei monokristallinen Wafern wurde ein Kontaktwiderstand erreicht, die unter der Nachweisgrenze der TLM lag. Mit den Versuchen konnten die Parameter für das selektive Laserdotieren für eine Säurekonzentration von 15 % und eine Bearbeitungsgeschwindigkeit von 200 mm/s optimiert werden. Für die industrielle Fertigung von Solarzellen müssen jedoch noch Untersuchungen bei höherer Bearbeitungsgeschwindigkeit durchgeführt werden, um die geforderten Taktzeiten unter einer Sekunde zu realisieren.
Flammengestützte Abscheidung verschiedener Schichtsysteme und Optimierung des r-CCVD Prinzips
(2015)
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der flammengestützen Abscheidung verschiedener Schichtsysteme unter der Zuhilfenahme des remote Combustion Chemical Vapor Deposition Verfahrens. Zahlreiche und hydrolytisch umsetzbare Precursoren konnten recherchiert werden. Unter verschiedenen Bedingungen erfolgte eine Auswahl an bestimmten Precurso-ren zur Erprobung. Titandioxid- (mittels Titantetraisopropoxid und Titanethoxid), Siliziumdi-oxid- (Hexamethyldisiloxan und Triethoxyorthosilikat), Aminosilan- (3-Aminopropyltriethoxysilan) und Aminotitanatschichten (Isopropyl tri(N-ethylene diamino)ethyl titanat) wurden erzeugt und ihre Schichteigenschaften mit unterschiedlichen instrumentellen Anlagen charakterisiert. Zu den Charakterisierungsmöglichkeiten gehörten ein Profilometer zur Schichtdickenbestimmung, Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) und energie-dispersive Röntgenspektroskopie (EDX) zur Elementanalyse sowie ein Röntgendiffraktome-ter mit streifendem Einfall (GIXRD) zur Zusammensetzungsbestimmung. Weiterhin erfolgten Rasterelektronen- (REM), Raster-Kraft-Mikroskopie (AFM) und Grauwertmessungen zur Bestimmung der Oberflächenbeschaffenheit. Die Anlagenoptimierung erfolgte hinsichtlich Abscheiderate durch die Erprobung unternehmensentwickelter Verdampfereinheiten und hin-sichtlich des Prozessparameters Temperatur der Precursorsprühleiste.
Schleifen ist ein bedeutsames und hochpräzises Verfahren in der mechanischen Fertigung. Durch verschiedene Einflüsse kann es bei der Bearbeitung von Werkstücken zur Entstehung von Schleifbrand kommen. Schleifbrand ist eine lokale Gefügeumwandlung im Bauteil, die Belastbarkeit und Langlebigkeit des Werkstückes herabsetzt. Eingeführte Detektionsverfahren für die Erkennung von Schleifbrand sind: Wirbelstromprüfung und Nitalätzung. Um die Funktion dieser Verfahren in regelmäßigen Abständen zu prüfen, werden Vergleichskörper mit künstlicher Inhomogenität durch Laserbehandlung hergestellt. Zur Verbesserung der Prozessfähigkeit und zur Minimierung des Geometrieeinflusses der Bauteile wurde eine Optimierung der Laseroptik durchgeführt. Für die Auslegung der Optik wurde eine Strahlcharakterisierung des kollimierten und fokussierten Strahls vorgenommen. Es wurde eine Aufweitung des Laserstrahls durchgeführt und der Arbeitspunkt wurde vom des fokussierten Stahl in den Fokus verschoben. Benutzt wurde hierfür eine zweilinsige Teleskopanordnung. Daraufhin wurde die Funktionalität der optimierten Optik mit diversen Probenkörpern unter Variation Prozess-, Material- und Geometrieparameter untersucht. Die Ergebnisse der Laserbehandlung mit optimierter Laseroptik wurden mit denen der Ausgangsoptik verglichen und eine Verbesserung der Prozessfähigkeit festgestellt.
Die vorliegende Masterarbeit beschäftigt sich mit dem Verfahren der thermischen Hochrateverdampfung zur Abscheidung von aluminiumbasierten Schichten auf Kleinteilen, die als Schüttgut behandelt werden. Realisiert wird dies mit der am Fraunhofer-Institut für Organische Elektronik, Elektronenstrahl- und Plasmatechnik (FEP) entwickelten Versuchsanlage ALMA 1000. Die Anlage vereint zwei physikalische Dampfabscheidungs-prozesse (engl.: physical vapor deposition
Bestimmung der Dichte und Gasaufnahme aufgedampfter reiner Siliziumschichten mittels Quarzmikrowaage
(2015)
Der erste Teil der Arbeit beschäftigt sich mit der Untersuchung eines alternativen Verfahrens zur Dichtebestimmung E-Strahl-aufgedampfter amorpher Silizium-Schichten (a-Si) mittels Schwingquarzmessung. Ziel war es einen Kompromiss zwischen hoher Genauigkeit und geringem apparativem Aufwand zu finden. Durch Messung der Si-Schichtdicke mittels Tastschnittgerät und der Massenbelegung aus der korrelierten Frequenzänderung des Schwingquarzes (SQ) nach Sauerbrey wurde die Schichtdichte bestimmt. Hierbei wurde der Einfluss des Quarzes (Oberflächenrauheit, Behandlungshistorie) und der Versuchsbedingungen (Substrattemperatur, Abscheiderate) auf die Dichte der Schichten und deren Genauigkeit untersucht. Im zweiten Teil wurde der Effekt der Gasabsorption auf diese Schichten in Abhängigkeit der Abscheidebedingungen untersucht. Dazu wurden frisch abgeschiedene a-Si-Schichten definierten Atmosphären (Druck, Gasart) ausgesetzt und mittels Schwingquarz in-situ die Massenbelegung aufgenommen.
Die vorliegende Arbeit behandelt die Konstruktion eines Molekülverdampfers für die Ab-scheidung von endohedralen Fullerenen unter Ultrahochvakuumbedingungen zur Herstellung von geeigneten Proben für die Tunnelmikroskopie. Anhand erster tunnelmikroskopischer Messergebnisse zu Er3N@C80 auf Metalloberflächen wird die Funktionsfähigkeit des Verdampfers eindrucksvoll bestätigt. Nach einer kurzen Vorstellung der abzuscheidenden endohedralen Fullerene werden die für den Verdampfungsprozess relevanten thermodynamischen Grundlagen zusammengefasst dargestellt. Anschließend wird der Aufbau des Verdampfers präsentiert. Über Betrachtungen zu den Grundlagen der Tunnelmikroskopie soll die Interpretation der im darauf folgenden Kapitel vorgestellten Messergebnisse ermöglicht werden. Rastertunnelmikroskopische und -spektroskopische Daten zu Er3N@C80 auf Wolfram Gold werden gezeigt.
Für die Charakterisierung von Indium-Zinn-Oxid-Schichten in der industriellen Produktion von Heterojunction-Solarzellen wird eine Messprozedur benötigt, die den Anforderungen einer solchen Produktion gewachsen ist. Zum einen ist es notwendig, dass die Genauigkeit und Präzision der verwendeten Messsysteme besser ist, als die Prozessstreuung der Abscheideprozesse. Nur so ist es möglich den Prozess zu kontrollieren. Hierfür werden in der Masterarbeit die Messsysteme mit Hilfe einer Messsystemanalyse untersucht. Zum anderen ist es notwendig, den Eingriff in den Herstellungsprozess so gering wie möglich zu halten. Hierfür werden in der Masterarbeit alternative Messmethoden zur Charakterisierung der elektrischen Eigenschaften der Indium-Zinn-Oxid-Schichten evaluiert. Als Ergebnis der Masterarbeit wird eine Messprozedur dargelegt, die für die Charakterisierung der elektrischen Eigenschaften von Indium-Zinn-Oxid-Schichten in der industriellen Produktion von Heterojunction-Solarzellen geeignet ist.
Für die Entwicklung neuer Medikamente und zur Züchtung künstlicher Organe ist es essenziell, die Wechselwirkungen zwischen verschiedenen Organen zu Untersuchen. Darum ist es notwendig, über ein komplexes und realitätsnahes Modellsystem zu verfügen, Lab-on-Chip Bioreaktoren bieten diese Möglichkeit. Ziel dieser Arbeit ist es, ein Messsystem zu entwickeln, das unter Ausnutzung von im Stoffwechsel aller eukaryotischen Zellen vorkommenden Substanzen zur kontinuierlichen Überwachung der Zellen geeignet ist. Als geeignete Markerfreie Messung hat sich die Fluoreszenzlebensdauermessung an NADH erwiesen. Die Änderungen des Metabolismus der Zelle sowie ihrer Umgebung führen zu einer Verschiebung der Fluoreszenzlebensdauer im einstelligen ns-Bereich. Da einige Stoffwechelprozesse in allen eukaryotischen Zellen gleich sind, konnte Saccharomyces cerevisiae als Modellorganismus zur realitäsnahen Messung eingesetzt werden. In dieser Arbeit wurden zeit- und frequenzbasierte Messmethoden zur ns-genauen Bestimmung der Fluoreszenzlebensdauer untersucht. Dabei wurden die Zellen gezielt mit den zellschädigenden Stoffen HCl sowie Triton-X100 behandelt und die Änderung vermessen. Es konnte gezeigt werden, dass sich die Fluoreszenzlebensdauer bei induzierter Apoptose um 1,4 ns verlängert, sowie durch induzierte Nekrosen um 0,5 ns verringert. Die Messergebnisse zeigen, dass es möglich ist, den Vitalitätszustand der Zellen optisch zu analysieren.
Die Arbeit beschäftigt sich mit den theoretischen Grundlagen der optischen und chemischen Eigenschaften der Haut und von Hautkrebs und dessen bislang gängigen Detektionsmöglichkeiten in der Dermatologie. Der zweite Teil der Arbeit befasst sich mit der spektralen Analyse der Haut und eines Nävuszellnävus. Dabei werden grundlegende Eigenschaften wie Absorption, Reflektanz und Kontrast analysiert.
In der Arbeit wurde eine Kritische Diskursanalyse von Kommentaren auf der Facebook-Seite von Pegida durchgeführt. Die Methode der Kritischen Diskursanalyse, die in der Arbeit Anwendung fand, basiert auf der Methodik von Siegfried Jäger. Durch die Analyse sollte ermittelt werden, wie sich Facebook-Nutzer auf der Seite der Pegida in Kommentaren äußern. Dazu wurden Aussagen getrennt nach Themen auf ihre Inhalte und Besonderheiten untersucht. Anschließend wurden die Aussagen durch die Untersuchung verwendeter sprachlicher Mitte feinanalysiert. Zum Schluss wurden die Ergebnisse in einem Fazit zusammengefasst und kritisch bewertet.