TY  - THES
A1  - Weber, Dominik
T1  - Metallisierung von Si-Wafern unter Verwendung eines Mikrodosiersystems und Lasertechnik
T1  - Metallization of Si-Wafer using a micro dosage system and a laser sinter process
N2  - Gegenstand der Arbeit ist es, die Möglichkeit des Einsatzes von Lasertechnik zum Tempern von Metallisierungen zur Ablösung des konventionellen Ofenprozesses zu untersuchen. Dazu wird die Rückseitenstruktur einer Siliziumsolarzelle, bestehend aus Aluminiumpaste, mittels Laser gesintert. Die Möglichkeit der Erzeugung einer Leiterbahn sowie eines Metall-Halbleiter-Kontaktes zwischen einer Metallpaste und Silizium konnte dabei erfolgreich nachgewiesen und parametrisiert werden. Zur Parametrisierung des Lasersinterprozesses wurde eine charakteristische Formel entwickelt, welche die für den Anwender notwendigen Parameter für das Erreichen definierter Widerstände liefert. Dabei konnte ein minimaler Leiterbahnwiderstand von ca. 11,5 mOhm, bei einer 1000 µm breiten und 200 µm hohen Bahn erzeugt und ein ohmsches Kontaktverhalten der Leiterbahn zum Silizium erreicht werden. Der minimal erreichte Kontaktwiederstand beträgt dabei 24Ohm. Zusätzlich wurde der strukturierte Auftragsprozess der Aluminiumpaste mittels einer Mikrodosiereinheit parametrisiert. Dabei konnten erfolgreich Bahnbreiten zwischen 700
N2  - This paper is conducted to analyse the possibilities for a replacement of the conventional furnace process by a lasersinterprocess. Therefore, the structure of the backside of a silicon solar-cell, which is made of an aluminium paste, will be tempered by a laser. The possibility for the generation of a conductor and a metal-semiconductor-contact between a metalpaste and silicon was successfully detected in this examination. For the parameterization of the lasersinterprocess, a characteristic notation was developed, to provide the necessary parameter for the achievement of defined resistances, which supports the user in getting the needed results. In this context, a minimal resistance of the conductor, namely 11,5 mOhm, by a rail which was 1000 µm wide and 200 µm high, could be explored and a contact behaviour of the conductor to the used silicon in terms of Ohm's law was achieved. The minimal reached contact resistance was 24Ohm. Furthermore, the structured applying process of the aluminium paste was parameterized with a micro dosage system. As a result, rail expanses between 700-1000 µm could be generated and parameterized. The applying process was realised through a multi-cannula-dispenser and should provide an alternative to the customary screen-printing process used in the production of solar-cells.
KW  - Metallisierung
KW  - Lasertechnik
KW  - Dispensen
KW  - Lasersintern
KW  - Metal-Wrap-Through Solarzelle
KW  - Metallization
KW  - laser technique
KW  - dispensen
KW  - metal-wrap-through solar cell
Y1  - 2018
UR  - https://libdoc.fh-zwickau.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/10162
ER  -