TY  - GEN
A1  - Münzberger, Sven
T1  - Optimierung der Polierzeitberechnung für Oxid Prozesse beim Chemisch-Mechanischen Polieren in Run-to-Run Systemen
T1  - Optimization of polishtime calculation for oxide Chemical-Mechanical Planarization process with Run to Run control
N2  - In der Halbleiterfertigung werden Run to Run Controler zur automatischen Nachregelung von Prozessdrifts eingesetzt. Zur Formulierung eines Regelgesetzes müssen die voneinander abhängigen Größen bekannt sein. Bei der Charakterisierung des Chemisch-Mechanischen Polierens (CMP) ist die Abtragsrate eine wichtige Kenngröße zur Berechnung einer optimalen Polierzeit. Für unterschiedliche Produkte gibt es unterschiedliche Abtragsraten. Durch den Einfluss von Verbrauchsmaterialien über deren Nutzungszeit ändert sich der Anlagenzustand. In dieser Diplomarbeit wurden Methoden zur Optimierung der Polierzeitberechnung für Oxid
KW  - Chemisch-mechanisches Polieren
KW  - Abtragsrate
KW  - Planarisierung
KW  - Belegungsdichte
KW  - Run to Run Control
Y1  - 2018
UR  - https://libdoc.fh-zwickau.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/10124
ER  -