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Entwicklung und Charakterisierung von High-k-Dielektrika für Bypasskondensatoren im BEoL-Bereich der 28-nm- und 14-nm-Halbleitertechnologieknoten

Development and characterization of high-k dielectrics for use in bypass capacitors in the back-end-of-line of 28 nm and 14 nm semiconductor technology node

  • Die vorliegende Arbeit beinhaltet die Entwicklung und Charakterisierung von High-k- Dielektrika zur Herstellung von Bypasskondensatoren im Back-End-of-Line-Bereich der 28-nm- und 14-nm-Halbleitertechnologieknoten von GLOBALFOUNDRIES. Das Hauptziel hierbei ist die Produktion von Kondensatoren mit Kapazitätsdichten von 40 fF
  • The present work includes the development and characterization of high-k dielectrics for use in decoupling capacitors in the back-end-of-line of 28 nm and 14 nm semiconductor technology node of GLOBALFOUNDRIES. The main aim is the production of capacitors with capacitance densities of 40 fF

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Metadaten
Author:Andreas Gummenscheimer
Advisor:Andreas NeidhardtGND, Wenke Weinreich
Document Type:Master's Thesis
Language:German
Name:Fraunhofer IPMS-CNT
Königsbrücker Str. 178, 01099 Dresden
Date of Publication (online):2018/02/22
Year of first Publication:2014
Publishing Institution:Westsächsische Hochschule Zwickau
Date of final exam:2014/12/30
Tag:ALD; Back-End-of-Line; Bypasskondensatoren; High-k; MIM
ALD; Back-End-of-Line; Decoupling capacitor; High-k; MIM
GND Keyword:Metall-Isolator-Metall-System; Atomlagenabscheidung; Halbleitertechnologie; Dielektrikum
Page Number:66 Seiten, 40 Abb., 6 Tab., 60 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2018/02/22