Entwicklung und Charakterisierung von High-k-Dielektrika für Bypasskondensatoren im BEoL-Bereich der 28-nm- und 14-nm-Halbleitertechnologieknoten
Development and characterization of high-k dielectrics for use in bypass capacitors in the back-end-of-line of 28 nm and 14 nm semiconductor technology node
- Die vorliegende Arbeit beinhaltet die Entwicklung und Charakterisierung von High-k- Dielektrika zur Herstellung von Bypasskondensatoren im Back-End-of-Line-Bereich der 28-nm- und 14-nm-Halbleitertechnologieknoten von GLOBALFOUNDRIES. Das Hauptziel hierbei ist die Produktion von Kondensatoren mit Kapazitätsdichten von 40 fF
- The present work includes the development and characterization of high-k dielectrics for use in decoupling capacitors in the back-end-of-line of 28 nm and 14 nm semiconductor technology node of GLOBALFOUNDRIES. The main aim is the production of capacitors with capacitance densities of 40 fF
Author: | Andreas Gummenscheimer |
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Advisor: | Andreas NeidhardtGND, Wenke Weinreich |
Document Type: | Master's Thesis |
Language: | German |
Name: | Fraunhofer IPMS-CNT Königsbrücker Str. 178, 01099 Dresden |
Date of Publication (online): | 2018/02/22 |
Year of first Publication: | 2014 |
Publishing Institution: | Westsächsische Hochschule Zwickau |
Date of final exam: | 2014/12/30 |
Tag: | ALD; Back-End-of-Line; Bypasskondensatoren; High-k; MIM ALD; Back-End-of-Line; Decoupling capacitor; High-k; MIM |
GND Keyword: | Metall-Isolator-Metall-System; Atomlagenabscheidung; Halbleitertechnologie; Dielektrikum |
Page Number: | 66 Seiten, 40 Abb., 6 Tab., 60 Lit. |
Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik |
Release Date: | 2018/02/22 |