Characterization of a Chloride-based Titanium Nitride Atomic Layer Deposition Process for Back-End-of-Line Devices
Charakterisierung eines Chlor-basierten Titannitrid ALD Prozesses für Back-End-of-Line Bauelemente
- Since several years, Titanium nitride (TiN) is one of the favored materials for electrodes in the semiconductor industry. The ongoing miniaturization due to Moore
- Schon seit einigen Jahren gilt Titannitrid (TiN) in der Halbleitertechnologie als bevorzugtes Material für Elektroden. Die stetige Miniaturisierung nach dem Moore
Author: | Markus Neuber |
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Advisor: | Hans-Dieter Schnabel, Wenke Weinreich |
Document Type: | Master's Thesis |
Language: | English |
Name: | Fraunhofer-Institut für photonische Mikrosysteme (IPMS) Königsbrücker Straße 178, 01099 Dresden |
Date of Publication (online): | 2018/02/22 |
Year of first Publication: | 2014 |
Publishing Institution: | Westsächsische Hochschule Zwickau |
Date of final exam: | 2014/12/01 |
Tag: | Atomlagenabscheidung; BEoL; MIM Kondensator; Tert.-Butylhydrazin; Titannitrid Atomic layer deposition; BEoL; MIM capacitor; Tert-Buthyl hydrazine; Titanium nitride |
Page Number: | 66 Seiten, 76 Abb., 14 Tab., 66 Lit. |
Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik |
Release Date: | 2018/02/22 |