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Characterization of a Chloride-based Titanium Nitride Atomic Layer Deposition Process for Back-End-of-Line Devices

Charakterisierung eines Chlor-basierten Titannitrid ALD Prozesses für Back-End-of-Line Bauelemente

  • Since several years, Titanium nitride (TiN) is one of the favored materials for electrodes in the semiconductor industry. The ongoing miniaturization due to Moore
  • Schon seit einigen Jahren gilt Titannitrid (TiN) in der Halbleitertechnologie als bevorzugtes Material für Elektroden. Die stetige Miniaturisierung nach dem Moore

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Metadaten
Author:Markus Neuber
Advisor:Hans-Dieter Schnabel, Wenke Weinreich
Document Type:Master's Thesis
Language:English
Name:Fraunhofer-Institut für photonische Mikrosysteme (IPMS)
Königsbrücker Straße 178, 01099 Dresden
Date of Publication (online):2018/02/22
Year of first Publication:2014
Publishing Institution:Westsächsische Hochschule Zwickau
Date of final exam:2014/12/01
Tag:Atomlagenabscheidung; BEoL; MIM Kondensator; Tert.-Butylhydrazin; Titannitrid
Atomic layer deposition; BEoL; MIM capacitor; Tert-Buthyl hydrazine; Titanium nitride
Page Number:66 Seiten, 76 Abb., 14 Tab., 66 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2018/02/22