Parameterextraktion fuer laterale DMOS- und IGBT Bauelemente in Siliziumkarbit (4H)
- In dieser Arbeit wurden laterale DMOS und IGBT simuliert und durch Parameterextraktion mit verschiedenen Gate-Spannungen, sowie verschiedenen Kanal- und Driftlängen wurden diverse Parameter extrahiert.
Author: | Lutz Ackermann |
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Advisor: | Gerhard TemmelGND |
Document Type: | Diploma Thesis |
Language: | German |
Name: | Westsächsische Hochschule Zwickau Dr. Friedrichs Ring 2a, 08056 Zwickau |
Date of Publication (online): | 2014/04/03 |
Year of first Publication: | 2014 |
Date of final exam: | 2014/02/14 |
Tag: | Parameterextraktion; Siliziumkarbit; laterale DMOS; laterale IGBT |
Page Number: | 87 Seiten, 15 Abb., 25 Tab., 2 Lit. |
Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik |
Release Date: | 2014/04/03 |