Parameterextraktion fuer laterale DMOS- und IGBT Bauelemente in Siliziumkarbit (4H)
- In dieser Arbeit wurden laterale DMOS und IGBT simuliert und durch Parameterextraktion mit verschiedenen Gate-Spannungen, sowie verschiedenen Kanal- und Driftlängen wurden diverse Parameter extrahiert.
| Author: | Lutz Ackermann |
|---|---|
| Advisor: | Gerhard TemmelGND |
| Document Type: | Diploma Thesis |
| Language: | German |
| Name: | Westsächsische Hochschule Zwickau Dr. Friedrichs Ring 2a, 08056 Zwickau |
| Date of Publication (online): | 2014/04/03 |
| Year of first Publication: | 2014 |
| Date of final exam: | 2014/02/14 |
| Tag: | Parameterextraktion; Siliziumkarbit; laterale DMOS; laterale IGBT |
| Page Number: | 87 Seiten, 15 Abb., 25 Tab., 2 Lit. |
| Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik |
| Release Date: | 2014/04/03 |
