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Konzeptstudie für die Entwicklung einer Avalanche Photodiode in einer 0,18 µm Hochvolttechnologie

A concept study for the development of an Avalanche Photo Diode in a 0.18 µm high Voltage technology

  • Die Konzeptstudie befasst sich mit der Evaluierung unterschiedlicher Konzepte von Avalanche Photodioden in einer 0,18 µm CMOS- Hochvolttechnologie. Die Anforderungen für die Avalanche Photodioden liegen bei einer Durchbruchspannung von 14 V in Sperrrichtung und haben eine maximale Quanteneffizienz von 850 nm/940 nm im nahen infraroten Bereich. In Betracht wurden fünf verschiedene Strukturen gezogen. Anhand von TCAD-Simulationen ließen sich unterschiedlichen Parameter der APDs untersuchen und Prozesseinflüsse definieren. Ein Abgleich der Simulationsmodelle erfolgt über die Messung mit einer Referenzdiode. Mit dieser Vergleichsmessung lässt sich die Gültigkeit der Simulation bestätigen oder widerlegen. Nur so können die Ergebnisse der APDs eingeordnet werden.

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Metadaten
Author:Alexander Zimmer
Advisor:Peter Hartmann
Document Type:Master's Thesis
Language:German
Name:X-FAB Semiconductor Foundries AG
Haarbergstraße 67, 99097 Erfurt
Date of Publication (online):2018/02/22
Year of first Publication:2015
Publishing Institution:Westsächsische Hochschule Zwickau
Date of final exam:2015/12/18
Release Date:2018/02/22
Tag:(TCAD)
GND Keyword:CMOS; Halbleitertechnologie; Lawinenphotodiode; Simulation
Page Number:94 Seiten, 44 Abb., 5 Tab., 50 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik