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Untersuchungen der Einflussgrößen auf den Produktfokus sowie auf die notwendige Dosis bei der Strukturierung von Silizium-Leistungshalbleitern

Examination of parameters which influence the exposure parameters productfocus and dose, needed to structure power semiconduktor products

  • Die Weltweite Nachfrage an Leistungshalbleiter ist in den vergangen Jahren rapide angestiegen. Um den stetig wachsenden Bedarf auf einem kostengünstigen Weg nachkommen zu können, wurde die Produktion der von Infineon Technologies produzierten Produkte (CoolMOSTM) von der 200 auf die 300 mm Waferproduktion transferiert. Die Herausforderungen für die Produktion dieser Technologie bleiben dennoch die gleichen. Besonders in der Lithographie stoßen die für die CMOS Technologie vorhandenen optischen Systeme an die Grenzen der Verwendungsmöglichkeiten. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Untersuchung von Einflussgrößen auf den Produktfokus, sowie auf die notwendige Dosis bei der Strukturierung von Silizium-Leistungshalbleitern, wobei alle Untersuchungen auf CoolMOSTM Produkten durchgeführt wurden. Nach einer Einleitung und Erläuterung der für diese Arbeit wichtigen Lithographischen Grundlagen, wird auf die Durchgeführten Experimente eingegangen und die resultierenden Erkenntnisse dargelegt. Am Schluss werden die in dieser Arbeit gesammelten Ergebnisse zusammengetragen und weitere Schritte, sowie der Einfluss der derzeitig verwendeten Dosis diskutiert. Abschließend werden die Resultate in die aktuelle internationale Forschung eingeordnet und diskutiert.
  • The global demand of power semiconductors increased rapidly during the last years. In order to satisfy the steeply rising needs for power semiconductors, Infineon decided to move their power products (e.g. CoolMOSTM) from 200 mm to 300 mm wafer production. The challenges for a production of this kind of technologies remain unchanged, especially the optical systems of the lithography process tools reach the limits of their application possibilities. This thesis examines the parameters which influence the exposure parameters like focus and dose, needed to structure the power semiconductor products. The shown studies were entirely done on CoolMOSTM products. After an introduction and a detailed description of the basic lithographical principles, required to perform the necessary examinations, the realized experiments and the subsequent results are presented. Finally, the important results are summarized with an particular attention on the discussion of the exposure dose, which is actually used in the processing. Furthermore the results of this thesis are compared to recent global researches together with a discussion of the obtained results within this area.

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Metadaten
Author:Robert Maurer
Advisor:Daniel SchondelmaierGND, Karsten Friedrich
Document Type:Bachelor Thesis
Language:German
Name:Infineon Technologies
Königsbrücker Straße 180, 01099 Dresden
Date of Publication (online):2018/02/22
Year of first Publication:2015
Publishing Institution:Westsächsische Hochschule Zwickau
Date of final exam:2015/03/09
Release Date:2018/02/22
Tag:dose; exposure; focus; lithographie
GND Keyword:Belichtung; Brennpunkt <Optik>; Dosis; Lithographie
Page Number:49 Seiten, 31 Abb., 1 Tab., 35 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik