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Prozessfenstercharakterisierung eines neuen Photoresists zur Einführung in der Lithographie im Aluminium - BEOL in der 28 nm Technologie

  • Das Ziel war es einen neuen Photoresist in die Lithographie, im Aluminium BEOL in der 28 nm Technologie, einzuführen. Um dies zu gewährleisten war es nötig einen Vergleich zwi-schen dem POR Resist und dem neuen Resist anzustellen. Nicht nur durch Experimente, wie Belichten verschiedener FEMs, sondern auch durch die Charakterisierung der Pro-zessparameter und des Prozessfensters ist es möglich eine Resistevaluierung durchzuführen. Aber auch auf nachfolgende Prozesse, wie Resistverhalten nach dem Ätzen oder Verhalten der elektrischen Werte, muss eingegangen werden um eine erfolgreiche Resistumstellung zu garantieren.

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Metadaten
Author:Martin Dankert
Advisor: Grimm, Richard Lobeck
Document Type:Bachelor Thesis
Language:German
Name:Globalfoundries
Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden
Date of Publication (online):2018/02/22
Year of first Publication:2015
Publishing Institution:Westsächsische Hochschule Zwickau
Date of final exam:2015/02/26
Release Date:2018/02/22
GND Keyword:Photoresist
Page Number:50 Seiten, 43 Abb., 24 Tab., 9 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik