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Optimierung der Polierzeitberechnung für Oxid Prozesse beim Chemisch-Mechanischen Polieren in Run-to-Run Systemen

Optimization of polishtime calculation for oxide Chemical-Mechanical Planarization process with Run to Run control

  • In der Halbleiterfertigung werden Run to Run Controler zur automatischen Nachregelung von Prozessdrifts eingesetzt. Zur Formulierung eines Regelgesetzes müssen die voneinander abhängigen Größen bekannt sein. Bei der Charakterisierung des Chemisch-Mechanischen Polierens (CMP) ist die Abtragsrate eine wichtige Kenngröße zur Berechnung einer optimalen Polierzeit. Für unterschiedliche Produkte gibt es unterschiedliche Abtragsraten. Durch den Einfluss von Verbrauchsmaterialien über deren Nutzungszeit ändert sich der Anlagenzustand. In dieser Diplomarbeit wurden Methoden zur Optimierung der Polierzeitberechnung für Oxid

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Metadaten
Author:Sven Münzberger
Advisor:Andreas NeidhardtGND, Frank Reinhold
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Name:Infineon Technologies GmbH
Königsbrücker Straße 180, 01099 Dresden
Date of Publication (online):2018/02/22
Year of first Publication:2011
Date of final exam:2011/11/29
Tag:Abtragsrate; Belegungsdichte; Planarisierung; Run to Run Control
GND Keyword:Chemisch-mechanisches Polieren
Page Number:56 Seiten, 57 Abb., 2 Tab., 20 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2018/02/22