Optimierung der Polierzeitberechnung für Oxid Prozesse beim Chemisch-Mechanischen Polieren in Run-to-Run Systemen
Optimization of polishtime calculation for oxide Chemical-Mechanical Planarization process with Run to Run control
- In der Halbleiterfertigung werden Run to Run Controler zur automatischen Nachregelung von Prozessdrifts eingesetzt. Zur Formulierung eines Regelgesetzes müssen die voneinander abhängigen Größen bekannt sein. Bei der Charakterisierung des Chemisch-Mechanischen Polierens (CMP) ist die Abtragsrate eine wichtige Kenngröße zur Berechnung einer optimalen Polierzeit. Für unterschiedliche Produkte gibt es unterschiedliche Abtragsraten. Durch den Einfluss von Verbrauchsmaterialien über deren Nutzungszeit ändert sich der Anlagenzustand. In dieser Diplomarbeit wurden Methoden zur Optimierung der Polierzeitberechnung für Oxid
Author: | Sven Münzberger |
---|---|
Advisor: | Andreas NeidhardtGND, Frank Reinhold |
Document Type: | Diploma Thesis |
Language: | German |
Name: | Infineon Technologies GmbH Königsbrücker Straße 180, 01099 Dresden |
Date of Publication (online): | 2018/02/22 |
Year of first Publication: | 2011 |
Date of final exam: | 2011/11/29 |
Tag: | Abtragsrate; Belegungsdichte; Planarisierung; Run to Run Control |
GND Keyword: | Chemisch-mechanisches Polieren |
Page Number: | 56 Seiten, 57 Abb., 2 Tab., 20 Lit. |
Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik |
Release Date: | 2018/02/22 |