Simulation und eöektrische Modellierung der Eigenerwärmung von VDMOSFET's

  • VDMOS-Leistungstransistoren der Firma SMI Frankfurt/Oder sind Untersuchungsobjekte der vorliegenden Diplomarbeit. Die Simulation der Ausgangs- und Transferkennlinien mit SPICE mit den Effekten der Eigenerwärmung werden dargelegt. Die dazu notwendigen Bauelementeparameter sind dargestellt und extrahiert worden. Die gegenwärtigen verwendeten Halbleiterstrukturen werden aufgezeigt und dargestellt. <!-- #h:dissdiplEigenerwärmung.doc# -->

Export metadata

Additional Services

Metadaten
Author:Klaus-Michael Christian
Advisor:Peter Baumann
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2000/09/11
Year of first Publication:1996
Date of final exam:1996/07/15
Tag:MOSFET; SPICE; Subcircuit; VOMOS
GND Keyword:Leistungstransistor
Page Number:142 Seiten, 105 Abb., 16 Tab., 44 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik
Release Date:2000/09/11