Simulation und eöektrische Modellierung der Eigenerwärmung von VDMOSFET's
- VDMOS-Leistungstransistoren der Firma SMI Frankfurt/Oder sind Untersuchungsobjekte der vorliegenden Diplomarbeit. Die Simulation der Ausgangs- und Transferkennlinien mit SPICE mit den Effekten der Eigenerwärmung werden dargelegt. Die dazu notwendigen Bauelementeparameter sind dargestellt und extrahiert worden. Die gegenwärtigen verwendeten Halbleiterstrukturen werden aufgezeigt und dargestellt. <!-- #h:dissdiplEigenerwärmung.doc# -->
MetadatenAuthor: | Klaus-Michael Christian |
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Advisor: | Peter Baumann |
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Document Type: | Diploma Thesis |
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Language: | German |
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Date of Publication (online): | 2000/09/11 |
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Year of first Publication: | 1996 |
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Date of final exam: | 1996/07/15 |
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Tag: | MOSFET; SPICE; Subcircuit; VOMOS |
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GND Keyword: | Leistungstransistor |
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Page Number: | 142 Seiten, 105 Abb., 16 Tab., 44 Lit. |
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Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik |
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Release Date: | 2000/09/11 |
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