Untersuchung des Verhaltens von IGBT-Bauelementen in resonanten Schaltungen
- Die Arbeit befaßt sich mit der Ermittlung der Schaltverluste von Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBTs) im hart schaltenden Betrieb und im Soft-Switching-Betrieb. Es werden die spezifischen Eigenschaften der Halbleiterbauelemente in der jeweiligen Betriebsart aufgezeigt. Der Vergleich von gemessenen Schaltverlusten mit den durch die rechnergestützte Analyse ermittelten Schaltverlusten läßt Aussagen über die Verwendungsmöglichkeiten des benutzten IGBT-Modells für den Soft-Switching-Betrieb zu.
Metadaten| Author: | Peter Diewert |
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| Advisor: | Manfred Schulze |
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| Document Type: | Diploma Thesis |
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| Language: | German |
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| Date of Publication (online): | 2000/09/11 |
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| Year of first Publication: | 2000 |
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| Tag: | Schaltverlust; Soft-Switching |
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| GND Keyword: | Halbleiterbauelement; IGBT |
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| Page Number: | 90 Seiten, 71 Abb., 21 Tab., 17 Lit. |
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| Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik |
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| Release Date: | 2000/09/11 |
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