Aufbau und Optimierung eines Systems zum reaktiven Ionenätzen von 6

  • Ziel der Diplomarbeit war die Optimierung von Plasmaätzverfahren (Reactive Ion Etching und Plasmaätzen mit Inertgas) an verschiedenen Sustratmaterialien und verschiedenen Substratgrößen, um einen gleichmäßigen Ätzabtrag zu erreichen. Die Untersuchungen erfolgten an einer ECR-RIE-Anlage die insbesondere auf die Anforderungen im Forschungs- und Entwicklungsbereich auf dem Gebiet der Mikrostrukturtechnik zugeschnitten ist. Da im industriellen Einsatz immer größere Wafer Verwendung finden, steigt auch der Anspruch an Forschungsanlagen bezüglich der Substratgröße, so daß eine Optimierung auf Substratgrößen bis 6'erfolgte. Die vorliegende Arbeit soll außerdem die vielfältigen Variationsmöglichkeiten der unterschiedlichen Prozeßparameter wie Substratgröße, Gasmischungen, Mikrowellen- und RF-Leistung und dergleichen darstellen, wobei innerhalb der Diplomarbeit nicht alle Möglichkeiten ausgeschöpft werden konnten. Ausgehend von der Darstellung einiger wichtiger Grundlagen zur Plasmaätztechnologie wird vorrangig auf den Aufbau der Anlage und die Optimierung der Prozeßkomponenten und des Ätzprozesses eingegangen. <!-- #h:dissdiplReaktives Ionenätzen.doc# -->

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Metadaten
Author:Andreas Engelhardt
Advisor:Andreas NeidhardtGND
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2000/09/11
Year of first Publication:1996
Date of final exam:1996/07/31
Tag:Heliumrückseitenkühlung; RF-Bias; Sputterätzen
GND Keyword:ECR-Ätzen
Page Number:34 Seiten, 23 Abb., 3 Tab., 18 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2000/09/11