Untersuchungen zur Optimierung von Siliziumnitridschichten für photovoltaische Anwendungen abgeschieden mit Hilfe gepulster Mikrowellenplasmen

Analysis of the optimization of silicon nitride layer for applications in photovoltaics based on pulsed microwave discharges

  • Amorphe hydrogenisierte Siliziumnitridschichten gelten als Standard - Antireflexionsschicht bei der industriellen Produktion kristalliner Silizium - Solarzellen. Steigende Anforderungen wie verbesserte Passivierungseigenschaften, verbesserte Dichte der Schicht und geringere Schichteigenspannung erfordern die genaue Kenntnis der Schichtzusammensetzung. In dieser Arbeit wurde die Zusammensetzung und die daraus resultierenden Eigenschaften von den Abscheidungsparametern mittlere Mikrowellenleistung, Druck, Temperatur, Gesamtgasfluss, Gasmischungsverhältnis, Leistung der zusätzlich Hochfrequenz und Pulsparameter einer gepulsten linearen Mikrowellenplasmaquelle mit und ohne zusätzliche Hochfrequenzunterstützung untersucht.
  • Amorphous hydrogenated silicon nitride has become the standard anti reflexion coating in industrial production of silicon based solar cells. During the last years requirements have changed as better bulk and surface passivation, layer with an increased density as well as less mechanical stress. Tuning these properties need to know the composition of the layer which depends strongly on paramters like average microwave power, pressure, temperature, total gas flow, ratio of gases, power of the additional rf plasma source as well as parameters of pulsing like frequency. The layers were deposited with a pulsed linear microwave plasma source with a frequency of 2.45GHz. The correlation between bonding density of the layer and resulting layer properties are shown.

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Metadaten
Author:Thomas Große
Advisor:Andreas NeidhardtGND
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Name:Roth&Rau AG
An der Baumschule 6-8, 09337 Hohenstein-Ernstthal
Date of Publication (online):2009/11/19
Year of first Publication:2009
Date of final exam:2009/07/31
Tag:Antireflexionsschicht; Bindungsdichte; Schichtzusammensetzung
anti reflexion coating; bonding density
GND Keyword:Siliciumnitrid; Passivierung; Photovoltaik; Eigenspannung
Page Number:55 Seiten, 43 Abb., - Tab., 46 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2009/11/19