Erkennung feiner Kratzer im kantennahen Flachbereich von 300 mm-Siliziumwafern

  • Feine Kratzer entstehen im kantennahen Flachbereich eines Wafers durch Fehler im Polierprozess oder durch Fehler beim Waferhandling während des Produktionsprozesses. Strukturelle Defekte an der Waferkante, wozu auch diese Kratzer gehören, können zum Durchbrechen des Wafers führen, was zu einer Verunreinigung der Produktionsanlge und aufgrund der dadurch erforderlichen aufwendigen Reinigung zum Produktionsausfall führt. Eine Kratzerinspektion ist daher unumgänglich. Problematisch bei der Inspektion feiner Kratzer ist, dass jeder Kratzer hinsichtlich seiner Größe und Tiefe individuell ist und in jeder beliebigen Richtung auf dem Wafer orientiert sein kann und feine Kratzer im Verhältnis zu anderen Defekten vergleichsweise wenig Licht streuen. Das von der Firma Nanophotonics entwickelte Messmodul ist für die Inspektion der Waferkante von 300 mm-Siliziumwafern auf Defekte optimiert. Die Inspektion erfolgt mit einer Zeilenkamera, wobei eine vollständige Inspektion in 12 Sekunden durchgeführt wird. Die feinen Kratzer auf dem kantennahen Flachbereich sind dabei allerdings nicht sichtbar. Das Ziel der Diplomarbeit ist es, die feinen Kratzer auf dem kantennahen Flachbereich sichtbar zu machen und die Inspektionszeit auf 6 Sekunden zu reduzieren. Es steht für die Inspektion ein weiterer Kameratyp (TDI-Kamera) zur Verfügung. Der Inspektionsprozess soll optimiert werden.

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Metadaten
Author:Darina Riemer
Advisor:Andreas NeidhardtGND, Dietrich Drews
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Name:Nanophotonics AG
Galileo-Galilei-Str. 28, 55129 Mainz
Date of Publication (online):2009/11/19
Year of first Publication:2009
Date of final exam:2009/09/07
Tag:Erkennung; Kratzer; fein; kantennah
GND Keyword:Wafer; Silicium; Defekt; Oberfläche; Kante; Inspektion
Page Number:71 Seiten, 45 Abb., 5 Tab., 35 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2009/11/19