Scatterometrie zur Charakterisierung von fotolithografischen Schichtsystemen

  • Zur Sicherstellung der Funktionalität der Produktionsanlagen in einer Halbleiterfertigung werden regelmäßig Kontrollen auf blanken Substraten durchgeführt. Unter Anderem werden die erzielten Strukturbreiten auf den Kontrollsubstrat überprüft. Zur Ermittlung der Strukturbreite stehen zwei Messverfahren zur Verfügung. Konventionell werden Rasterelektronenmikroskope zur Strukturbreitenbestimmung genutzt, diese Arbeit vergleicht das Rasterelektronenmikroskopieverfahren mit einer Scatterometriemessung. Die Vergleichspunkte beinhalten den Vergleich der Messmittelfähigkeit, die Eignung der beiden Verfahren für eine Arbeitspunktbestimmung des Lithografieprozesses, den Vergleich einer Querschnittsanalyse mit den Scatterometriemodellen und die Anwendung beider Messungen in der statistischen Prozesskontrolle.

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Metadaten
Author:Florian Flach
Advisor:Peter HartmannGND, Susanne Volkland
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Name:Infineon Technologies Dresden
Königsbrückerstr. 180, 01099 Dresden
Date of Publication (online):2010/09/06
Year of first Publication:2010
Date of final exam:2010/08/16
Tag:Lithografie; Scatterometrie
CD Metrology; Scatterometry
GND Keyword:Messung; Automatische Messung; Optische Messung; Vergleichsmessung; Halbleitertechnologie
Page Number:80 Seiten, 40 Abb., 35 Tab., 30 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2010/09/06