Nasschemisches Ätzen von Kupfer und Titanium für die Herstellung von Bondpads aus Kupfer
- Die Metallisierung von Halbleiterchips wird zunehmend mit Kupfer hergestellt. Über der letzten Metallisierungsebene sind die Bondpads meistens aus Aluminium mit einer zusätzlichen Padverstärkung. Der Aufbau soll durch ein Bondpad aus Kupfer ersetzt werden, auf dem mit Kupferdraht gebondet werden kann. Unter dem Bondpad befinden sich eine Kupferstartschicht und eine Diffusionsbarriereschicht aus Titanium. Die vorliegende Diplomarbeit befasst sich mit Möglichkeiten des nasschemischen Ätzens von Kupfer und Titanium zum Entfernen der Schichten zwischen den Bondpads. Von besonderem Interesse sind dabei jeweils der Ätzabtrag über dem Wafer und die Unterätzung beim isotropen Ätzen. Durch Variation von Prozessparametern wird das Ätzverhalten charakterisiert und optimiert. Es erfolgen umfangreiche Analysen der Schichtdicke und der Elemente auf der Waferoberfläche.
Author: | Annette Tugendheim |
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Advisor: | Hans-Dieter Schnabel, Marion Nichterwitz |
Document Type: | Diploma Thesis |
Language: | German |
Name: | Infineon Technologies Dresden GmbH Königsbrücker Straße 180, 01099 Dresden |
Date of Publication (online): | 2010/09/06 |
Year of first Publication: | 2010 |
Date of final exam: | 2010/08/09 |
Tag: | Bondpad; Kupfer; Titanium; Ätzen |
Page Number: | 71 Seiten, 26 Abb., 13 Tab., 16 Lit. |
Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik |
Release Date: | 2010/09/06 |