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Matthias Sprenger

• In der Halbleiterindustrie nimmt der fortschreitende Anspruch, Qualität und Quantität in Einklang zu bringen, in hohem Maße zu. Endkunden interessieren sich insbesondere im Bereich Mikroelektronik für ein qualitativ hochwertiges Produkt mit umfassender Funktionalität, welches zudem den immer schneller wachsenden Anforderungen der Verbraucher entsprechen soll. Zudem besteht die Herausforderung, in einem stark umkämpften Markt, wettbewerbsfähig und wirtschaftlich zu bleiben. Die daraus resultierende fortlaufende Miniaturisierung der Strukturen erfordert hohe Entwicklungskosten, die durch optimierte und stabile Produktions- und Fertigungsprozesse kompensiert werden müssen. Um diesen Anspruch gerecht zu werden, müssen insbesondere zuverlässige und durchsatzoptimierte Messsysteme in der Halbleiterindustrie zum Einsatz kommen. Dessen Hauptaufgaben sind es, bestehende Produktions- und Entwicklungsprozesse zu kontrollieren und zu stabilisieren. Des Weiteren steht eine möglichst genaue und schnelle Ergebniserzielung im Fokus, um zeitnah auf Prozessabweichungen reagieren zu können. Ziel dieser Diplomarbeit ist es, die bestehenden Messsysteme, die zum einen die Methode der Rasterelektronenmikroskopie (Scanning Electron Microscope - SEM) und zum anderen die Methode der Rasterkraftmikroskopie (Atomic Force Microscope - AFM) nutzen, bei der Ermittlung von Linienbreiten auf kritischen Strukturen zu untersuchen. Die daraus entstehenden Vor- und Nachteile beider Messmethoden sollen Aufschluss über den zukünftigen Einsatz im Produktionsbereich bei GLOBALFOUNDRIES bringen und die Möglichkeit geben, die Vorteile beider Systeme aufeinander abzustimmen.