Charakterisierung von Silicium-Wafern für Image-Sensor-Anwendungen
Characterization of Silicon Wafers for Image Sensor Applications
- Die Hauptursache für Dunkelströme in optischen Sensoren sind Fremdatome und Defekte im Inneren der Siliciumeinkristallscheiben. In gepulsten MOS-Kondensatoren können die für die Bauteilfunktion kritischen elektrisch aktiven Störstellen mit Energieniveaus mittig der Bandlücke über die tiefenabhängige Generationsstromcharakteristik detektiert werden. In der vorliegenden Masterarbeit wurde mit der simultanen HF/LF-MOS-CV-Methode der Einfluss von Molybdän-, Nickel-, Chrom- und Kupferkontamination sowie von sauerstoff-induzierten Kristalldefekten (BMD
- Dark currents in image sensor devices are mainly caused by impurities and defects located in the bulk of single crystal wafers. In pulsed MOS capacitors, the depth-related generation current characterization can be applied to detect electrically active deep level traps which have an detrimental effect on device performance. Using the simultaneous HF/LF-MOS-CV technique, this master thesis investigates the impact of molybdenum, nickel, chromium and copper contaminated samples as well as oxygen induced crystal defects (BMD
| Author: | Stephan Paulack |
|---|---|
| Advisor: | Gerhard TemmelGND, Ansgar Koch |
| Document Type: | Master's Thesis |
| Language: | German |
| Name: | Siltronic AG Johannes-Hess-Straße 24, 84489 Burghausen, 84489 Burghausen |
| Date of Publication (online): | 2018/02/22 |
| Year of first Publication: | 2016 |
| Publishing Institution: | Westsächsische Hochschule Zwickau |
| Date of final exam: | 2016/12/15 |
| Tag: | CMOS-Bildsensor; Dunkelströme; Generationsstrom; Metallkontamination Bulk-Micro-Defects; CMOS Image-Sensor; Dark Current; Generation-Current; Metal-Contamination |
| GND Keyword: | CMOS; Bildsensor; MOS; Dunkelstrom; Kontamination; Defekt; Wafer |
| Page Number: | 105 Seiten, 84 Abb., 7 Tab., 66 Lit. |
| Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik |
| Release Date: | 2018/02/22 |
