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- Bachelor Thesis (1)
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Das Ätzen von Grabenstrukturen in Silizium spielt eine wichtige Rolle in der Mikrosystem- bzw. Halbleitertechnik. Oft müssen Strukturen mit unterschiedlichen Breiten in ein Substrat geätzt werden. Auffällig ist dabei, dass die Ätzrate von der Breite der Öffnung abhängt. Schmalere Gräben werden langsamer geätzt als breitere. Es resultieren unterschiedliche Ätztiefen. Dieses Verhalten, welches als Aspect Ratio Dependent Etching (ARDE) bezeichnet wird, kann gezielt ausgenutzt werden (z.B. Strukturierung und Vereinzelung von Wafern), oder es stellt ein Problem im Herstellungsprozess dar, wenn die Ätztiefen zu stark variieren. Der Bosch-Prozess ist eine beliebte Technik, mit der tiefe und gleichzeitig schmale Gräben anisotrop geätzt werden können. Das Ziel der Arbeit bestand in einer Beeinflussung und Kompensation von ARDE. Dazu wurden verschiedene Rezepte ausprobiert. Es sollten dadurch Erkenntnisse gewonnen werden, welche Parameter im Ätzprozess Einfluss auf ARDE haben.