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Die vorliegende Studie beschäftigt sich mit der elektrochemischen Kupferabscheidung auf sehr dünnen metallischen Saatschichten im Hinblick auf die Kontaktierungs-möglichkeiten innerhalb ultrahoch-integrierter Schaltkreise. Dabei soll die prinzipielle Machbarkeit der galvanischen Abscheidung auf 50 bis 10 nm dünnen, mittels PVD hergestellten Kupfer- und Nickelsaatschichten experimentell sowie auf Ruthenium und Kobalt in der Theorie gezeigt werden. Eine praktische Vorbetrachtung der Abscheidung auf Kupfer dient zur Optimierung der Prozessparameter und des Versuchsablaufes. Darauf wird die erfolgreiche Abscheidung auf allen Kupfer- und Nickelsaatschichten mittels Vier-Spitzen-Schichtwiderstandsmessung und der Untersuchung mit dem Rasterelektronenmikroskop genauer charakterisiert. Eine kurze theoretische Vorbetrachtung zu Kobalt und Ruthenium als Saatschicht-material skizziert die potenzielle Realisierung der Kupferabscheidung und stellt einen Ansatz für folgende Abscheideexperimente dar.
Die vorliegende Arbeit beinhaltet die Entwicklung und Charakterisierung von High-k- Dielektrika zur Herstellung von Bypasskondensatoren im Back-End-of-Line-Bereich der 28-nm- und 14-nm-Halbleitertechnologieknoten von GLOBALFOUNDRIES. Das Hauptziel hierbei ist die Produktion von Kondensatoren mit Kapazitätsdichten von 40 fF