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Die Hauptursache für Dunkelströme in optischen Sensoren sind Fremdatome und Defekte im Inneren der Siliciumeinkristallscheiben. In gepulsten MOS-Kondensatoren können die für die Bauteilfunktion kritischen elektrisch aktiven Störstellen mit Energieniveaus mittig der Bandlücke über die tiefenabhängige Generationsstromcharakteristik detektiert werden. In der vorliegenden Masterarbeit wurde mit der simultanen HF/LF-MOS-CV-Methode der Einfluss von Molybdän-, Nickel-, Chrom- und Kupferkontamination sowie von sauerstoff-induzierten Kristalldefekten (BMD
Im Zuge der fortschreitenden Miniaturisierung in der CMOS-Technologie ist die Optimierung bestehender Prozesse und die Integration neuer Materialen sowie Herstellungsverfahren der Schlüssel zu höherer Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz der Mikrochips. Gegenstand dieser Bachelorarbeit ist Hafniumoxid, was als dielektrische Schicht in aktuellen und zukünftigen Transistorgenerationen eingesetzt wird. In der vorliegenden Arbeit wurden die alternativen Dry PeroxideTM (H2O2)und Ethanol (C2H6O) in Verbindung mit dem Metallpräkursor HfCl4 für die thermische Atomlagenabscheidung von HfO2 getestet. Die HfO2-Schichten entstanden auf 300 mm Siliciumwafern in einem für die industrielle Fertigung geeignetem ALD-Reaktor. Es konnte für beide ALD-Prozesse das typische selbstbegrenzte Schichtwachstum für Abscheide-temperaturen zwischen 200 °C und 300 °C nachgewiesen werden. Neben dem Wachstums-verhalten in diesem Temperaturfenster wurden auch die Auswirkungen der Oxidationsmittel auf die Materialeigenschaften mittels XPS und XRR untersucht. Um die Neuentwicklung dieser ALD-Prozesse bzw. die entstanden HfO2-Schichten zu bewerten, wurden vergleichbare Daten der bereits umfassend erforschten HfCl4 basierten ALD-Prozesse (HfCl4 / H2O und HfCl4/ O3) generiert.