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Year of publication
- 2009 (1)
Document Type
- Diploma Thesis (1)
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Die Diplomarbeit untersucht Methoden zur elektrischen und physikalischen Markierung von Flash-Speicher-Zellen in CMOS-Logik-Produkten. Ziel ist der Nachweis der korrekten Umrechnung von logischen Flashzellenadressen in deren physikalische Chip - Koordinaten (Descrambling). Dieser Nachweis ist ein notwendiger vorbereitender Schritt vor Fehleranalysen am eingebetteten Flash-Speicher. Bisherige Methoden zur Überprüfung der Descrambling-Routine für Flash-Speicher sind weder schnell noch effektiv. Eine Optimierung vorhandener und die Einführung weiterer Methoden sollen zur Effizienzsteigerung der Fehleranalyse beitragen. Neben der Untersuchung bereits genutzter physikalischer Effekte, beispielsweise der Thermografie, wurde im Rahmen der Diplomarbeit eine neue Methode entwickelt. Sie beruht auf einer durch Laserbestrahlung hervorgerufenen Zellprogrammierung. Da die Laserprogrammierung sowohl schnelle als auch genaue Ergebnisse erbracht hat, fokussiert die Diplomarbeit auf die Weiterentwicklung und das Verständnis dieser Methode. Die bisherigen Forschungsergebnisse weisen darauf hin, dass es sich bei dem beobachteten physikalischen Effekt um eine durch den Laser Induzierte Heiße Elektronen Injektion (LIHEI) handelt. Die Einsetzbarkeit der LIHEI ist bisher durch eine minimal erforderliche Leistung der integrierten Spannungspumpen limitiert. Daher bleibt eine Methodenauswahl weiterhin erforderlich. Die Zusammenfassung dieser Arbeit beinhaltet eine Übersicht über alle unter-suchten Methoden, sowie ergänzend eine Methodenübersicht für SRAM-Speicher. Mit Hilfe der aufgeführten Tabellen kann in Zukunft vor einer Bitmap-Verifikation eine geeignete Vorgehensweise ausgewählt werden.