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- Bachelor Thesis (1)
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Kapitel 2 schafft die Grundlagen für diese Arbeit. Dabei werden wichtige Begriffe und Zusammenhänge (wie z.B. Geschäftsprozess, ERP-System, Integration und Heterogenität, Integrationsarten, Integrationstechniken usw.) erklärt. Kapitel 3 beschäftigt sich mit dem SAP Netweaver. Zunächst erfolgt eine theoretische Betrachtung der Integrationsebenen. Anschließend werden die beiden ausgewählten Komponenten SAP NetWeaver Application Server und SAP NetWeaver Enterprise Portal, welches Komponenten der Ebenen People Integration und Information Integration enthält, im Detail betrachtet. In Kapitel 4 wird der SAP Visual Composer analysiert. Dazu werden zunächst einige Grundgedanken, wie die Zielgruppe, das Freestyle-Konzept und die Benutzeroberfläche des Visual Composers aufgezeigt. Des Weiteren beschäftigt sich das Kapitel mit den zwei Versionen des SAP Visual Composer und es wird detailliert auf die Architektur des Visual Composer for NetWeaver 2004s eingegangen. Als Abschluss des Kapitels erfolgt eine Gegenüberstellung seiner Stärken und Schwächen. In Kapitel 5 wird die Eigenentwicklung eines Beispielgeschäftsprozesses zum Thema der Diplomarbeit:
In dieser Arbeit wurden siliziumbasierende Lichtemitter, welche mit Terbium dotiert sind, hinsichtlich ihrer elektrischen und optoelektrischen Eigenschaften untersucht. Dabei wurde die aktive Schicht erstmals mittels ALD-Abscheidung hergestellt. In dieser Versuchsreihe wurde die Terbiumkonzentration variiert und zusätzliche Schichten aus Aluminiumoxid eingebracht, um deren Einfluss auf die Eigenschaften der Lichtemitter zu untersuchen. Die Untersuchten Proben zeigten alle eine intensive Elektrolumineszenz bei 540 nm. Bei zu hoher Tb-Konzentration kommt es durch zusätzlich nicht-strahlenden Übergänge zu einer sinkenden Effizienz. Die bei 2 Wafern zusätzlich eingebrachten Al2O3-Schichten reduzierten den Anteil der nicht-strahlenden Übergänge und führen zu Leistungseffizienzen von bis zu 0.1%. Die zusätzlichen Al2O3-Schichten führen außerdem zu einer geringeren Fluoreszenzlöschung während der Lebensdauer des Lichtemitters. Somit konnte grundsätzlich gezeigt werden, dass sich die ALD-Abscheidung zur Herstellung Si-basierter Lichtemitter eignet.
In dieser Arbeit wurden Blitzlampen auf ihre spektrale Modifizierbarkeit hin untersucht. Es wird gezeigt, dass sich das Spektrum durch die Variation der Blitzparameter, insbesondere durch Erhöhung der Blitzspannung und Verkürzung der Pulszeit, in Richtung des UV-Bereiches verschieben lässt. Die Auswirkungen dieser verschiedenen Blitzparameter auf dotierte ZnO-Schichten wurden durch Messungen von optischen und elektrischen Eigenschaften analysiert. Bei den untersuchten Proben handelt es sich um ZnO-Schichten, welche mit dem ALD-Verfahren auf Si-Wafern abgeschieden worden sind. Nach der Dotierung mit Phosphor und Antimon wurden die Proben unter verschiedenen Blitzparametern ausgeheilt. Mit der Hall-Messung konnte nachgewiesen werden, dass es nach Phosphorimplantation unter bestimmten Ausheilbedingungen in einer Sauerstoffatmosphäre möglich war, in ZnO eine p-Leitfähigkeit zu erzeugen. Die Photolumineszenzmessungen zeigen in Abhängigkeit von den ALD, Implantations- und Ausheilbedingungen verschiedene Lumineszenzbanden im UV und sichtbaren Bereich, die in der Literatur z.T. kontrovers verschiedenen, bekannten Defekten zugeordnet werden. Bemerkenswert ist das Auftreten einer roten Lumineszenz, die mit der Phosphorimplantation und einer Sauerstoffatmosphäre beim Ausheilen korreliert ist.