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Abscheidung und Charakterisierung von wasserstoffhaltigem Siliciumnitrid mittels reaktivem Sputtern
(2008)
In der Photovoltaik wird Siliciumnitrid als Antireflex- und Passivierungsschicht eingesetzt. Aktuell kommen CVD-Verfahren bei der Herstellung zum Einsatz. Da CVD-Verfahren gefährliche Precusoren im Prozess verwenden, sollen diese durch das Sputtern abgelöst werden. Einen Beitrag dazu soll diese Diplomarbeit liefern, indem mit reaktivem Sputtern wasserstoffhaltige Siliciumnitridschichten erzeugt und charakterisiert werden. Rasterkraftmikroskopische Untersuchungen geben einen Aufschluss über das Oberflächenprofil. Die Bruchfläche der Siliciumnitridschicht ist mit dem Rasterelektronenmikroskop untersucht worden. Mit der Sinterung wurde die Siliciumnitridschicht der multikristallinen Siliciumwafer auf Blasenbildung untersucht. Abschließend wurde die Siliciumnitridschicht mit einem FTIR-Spektrometer auf Wasserstoffverbindungen mit Stickstoff und Silicium überprüft.