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In dieser Arbeit geht es um die Untersuchung des Belackungsprozesses und der Strukturierung mittels Laser-Interferenz-Lithografie auf großen Silizium-Trägern, welche auf Grund ihrer höheren Formstabilität und individuelleren Montagemöglichkeiten, zur Fokussierung und Dispersion von Synchrotronstrahlung besser geeignet sind als dünne Wafer. Dabei werden im ersten Abschnitt die Gesetzmäßigkeiten zwischen Drehzahl und Schichtdicke anhand von Schleuderkurven ermittelt sowie die Homogenität der aufgebrachten Oberflächen bestimmt. Nach der Untersuchung geeigneter Schleuderparameter werden die Proben mit Hilfe der Laser-Interferenz-Lithografie periodisch strukturiert und die Ergebnisse mit geeigneten Verfahren charakterisiert und bewertet.
In dieser Arbeit geht es um die Untersuchung des Oxid-CMP-Prozesses für einen Run-to-Run Controller in einem industriellen Produktionsumfeld. Dabei liegt der Fokus auf der Vorhersage der Abtragsrate auf strukturierten Wafern. Diese wird durch eine Reihe produkt- und anlagenspezifischer Parameter beeinflusst, welche für die Prozessierung von bekannten als auch neuen Produkten von großer Bedeutung sind. Im Rahmen dieser Untersuchungen werden die entscheidenden Parameter sowie deren Wechselwirkungen für eine Run-to-Run gesteuerte Bearbeitung an CMP-Anlagen untersucht um eine automatisierte Waferbearbeitung ohne vorherige Abtragsratenbestimmung mittels Pilotwafer zu gewährleisten. Somit kann sowohl die Prozesszeit als auch der Materialverbrauch für die Bearbeitung eines Produktes deutlich gesenkt werden.