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In dieser Arbeit wurde die Passivierqualität und die thermische Stabilität von PECVD hergestellten Siliziumoxinitrid- und Aluminiumoxidpassivierschichten für Hocheffizienzsolarzellen untersucht. Die SiOxNy-Schichten wurden mit der PECVD Anlage AK1000 der Firma R&R hergestellt. Dabei wurden der Gasfluss Ro in einem Bereich von 0 < Ro < 24 variiert. Die AlOx-Schichtsysteme wurden in der PECVD Anlage MaiA bei R&R abgeschieden. Beide Schichtsysteme durchliefen anschließend einen Hoch- temperaturschritt. Die Charakterisierung der Proben erfolgte mithilfe der Quasi-stationären Photoleitfähigkeitsmessung (QSSPC) und dem Mikrowellen-detektierten Photoleitfähigkeitsabklingen sowohl vor dem Feuerschritt als auch danach. Zur Überprüfung der thermischen Stabilität gegenüber diesen Hochtemperaturschritten wurde die Fourier-Transform Infrarot Spektroskopie angewendet. Die Bestimmung der Passivierqualität ergab, dass beide Schichtsysteme, in Verbindung mit einer a-SiNx-Deckschicht gute Passiviereigenschaften besitzen. Am besten eignet sich hierbei eine Feuertemperatur von ~860 °C. Die AlOx-Schichtsysteme wurden außerdem einer Temperung unterzogen, um die Passivierqualität weiter zu steigern. Ebenso wurde die thermische Stabilität dieser Schichten erfolgreich nachgewiesen. Hierdurch und durch die guten Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeiten (Seff < 25cm/s auf CZ), welche für SiOxNy- Schichstysteme bzw. für AlOx-Schichtstapel (Seff < 12cm/s auf FZ) erreicht wurden, sind dieses Schichtsysteme gut geeignet für den Einsatz in Hocheffizienzsolarzellen.