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Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Erarbeitung der Möglichkeit eines in-situ Wiederherstellungsprozesses der dielektrischen Eigenschaften von plasmageschädigten, porösen low-k Materialien. Bei Plasmaätzprozessen tritt eine Kohlenstoffffverarmung und Verdichtung der Schichten auf. Damit steigt die Permittivität, die Leckstromdichte und die hydrophile Benetzung in den Oberächenbereichen. Das Ziel der Arbeit war es, mittels Plasmaunterstützung Reparaturprecursoren in Gasphase zu fragmentieren und deren Einfluss auf die Schichteigenschaften zu erproben. Dazu wurde Octamethylcyclotetrasiloxan (OMCTS) verdampft, in einem Mikrowellenreaktor zersetzt und über die Probe geleitet. Der Einfluss eines Methan-Plasmas auf einen möglichen Reparaturerfolg wurde in einer induktiv gekoppelten Plasmakammer untersucht. Die Proben wurden anschließend mit Fourier-transformierter Infrarot-Spektroskopie, Kontaktwinkel-Messung und Quecksilber-Sonden-Messung analysiert. Besonders mit plasmagestützter Fragmentierung des OMCTS konnten beachtliche Reparaturerfolge erzielt werden.