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In der vorliegenden Arbeit wird die Entwicklung von silanbasierten PECVD-Prozessen zur Siliziumnitridabscheidung beschrieben. Ein Schwerpunkt der Untersuchungen liegt in der Bestimmung und Einstellung der Schichtspannung. Technologische Vorgabe an die Prozesse ist dabei die Abscheidung von spannungsfreien bzw. tensilen Schichten.Eine weitere Zielstellung ist ein bestimmter Siliziumanteil in der Siliziumnitridschicht, für dessen Ermittlung quantitative XPS-Analysen durchgeführt wurden. Die Bestimmung der optimalen Prozessparameter erfolgte in umfangreichen Versuchsreihen, in denen der Einfluss der Plasmaleistung, des Elektrodenabstands, der Prozessgasflüsse (Silan, Ammoniak, Stickstoff), der Temperatur und des Prozessdrucks auf die Schichteigenschaften festgestellt wurde. Im Ergebnis konnte ein Prozess zu Abscheidung von spannungsfreien Schichten entwickelt werden. Ferner konnten Möglichkeiten zur Erhöhung des Siliziumanteils im Siliziumnitrid erprobt und Ansätze zur weiteren Steigerung aufgezeigt werden. Untersuchungen zur Stabilität und Zuverlässigkeit der entwickelten Prozesse und Schichten runden das Ergebnis ab.