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In der vorliegenden Arbeit werden elektrochemisch hergestellte Kupferschichten hinsichtlich ihres Gefüges sowie des Verhaltens von Verunreinigungen im Verlauf des Self-annealing untersucht. Die Abscheidung der Metallisierungsschichten erfolgt aus einem schwefelsauren CuSo4 –Elektrolyten auf thermisch oxidierten (100) Si-Substraten mit Ta-Barriere und PVD-Kupferkeimschicht. Die Untersuchungen fokusieren sich auf den Einfluss verschiedener Stromschichten und Additivkonzentrationen im Elektrolyten hinsichtlich der Abscheidung von durchschnittlich 1m dicken Cu-Schichten. Da die Wechselwirkung einer Vielzahl von Teilprozessen im Verlauf des Self-annealings nur ungenau zusammenhängend beschrieben sind, präsentiert die vorliegende Arbeit eine bisher einzigartige Bündelung verschiedenster Messmethoden zu dieser Thematik. Erstmals gelingt ein umfassender Überblick hinsichtlich der zeitlichen Veränderung der in der Cu-Schicht eingelagerten Additive, des spezifischen elektrischen Widerstandes, der mechanischen Parameter und der Gefügeentwicklung während des Self-annealings. Die Analysen erfolgten mittels GD-OES, REM, FIB, AFM, TEM sowie verschiedenen Widerstand- und Schichtspannungsmesssystemen.