Fehlerlokalisierung an mikroelektronischen Bauelementen mittels temperaturabhängiger Fluoreszenzanalyse (Fluorescent Microthermal Imaging)
- Die Fehleranalyse stellt für jedes Produkt und jeden Herstellungsprozeß einen wichtigen Arbeitsschritt besonders während dessen Entwicklung dar. Selbst technisch ausgereifte Produkte unterliegen ständigen Qualitätskontrollen. In der Halbleiterindustrie beschränkt sich diese auf das Prüfen der Funktionstüchtigkeit der Halbleiterbauelemente. Stellt man Fehlfunktionen fest, so müssen Ursachen dafür gefunden werden, um den Herstellungsprozeß gezielt optimieren zu können. Bei einer Fehleranalyse an mikroelektronischen Bauelementen ist nicht nur der Fehler selbst von Interesse, sondern es muß auch eine möglichst genaueZuordnung der Fehlerstellen erfolgen. Dabei ist es notwendig vor der eigentlichen Ursachensuche, die Fehler, zu lokalisieren. In der vorliegenden Arbeit wird das Verfahren der Fehlerlokalisierung mittels temperaturabhängiger Fluoreszenzanalyse (Fluorescent Microthermal Imaging, FMI) angewandt und charakterisiert. An die Lokalisierung der Fehler schließt sich eine Analyse mittels Transmissionselektronenmikroskopie an, die Defekte an den lokalisierten Punkten bestätigt. Weiterhin wird auf die Vorbereitung der Fluoreszenzanalyse eingegangen, die ein breites Feld an angewandter Technik nach sich zieht. Entstanden ist ein Analyseverfahren, bei dem mit einer hohen lateralen Auflösung Defektstellen lokalisiertwerden können, um die anschließenden Untersuchungen weitestgehend zu vereinfachen.
