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Merve Anderson

• Die Diplomarbeit untersucht Methoden zur elektrischen und physikalischen Markierung von Flash-Speicher-Zellen in CMOS-Logik-Produkten. Ziel ist der Nachweis der korrekten Umrechnung von logischen Flashzellenadressen in deren physikalische Chip - Koordinaten (Descrambling). Dieser Nachweis ist ein notwendiger vorbereitender Schritt vor Fehleranalysen am eingebetteten Flash-Speicher. Bisherige Methoden zur Überprüfung der Descrambling-Routine für Flash-Speicher sind weder schnell noch effektiv. Eine Optimierung vorhandener und die Einführung weiterer Methoden sollen zur Effizienzsteigerung der Fehleranalyse beitragen. Neben der Untersuchung bereits genutzter physikalischer Effekte, beispielsweise der Thermografie, wurde im Rahmen der Diplomarbeit eine neue Methode entwickelt. Sie beruht auf einer durch Laserbestrahlung hervorgerufenen Zellprogrammierung. Da die Laserprogrammierung sowohl schnelle als auch genaue Ergebnisse erbracht hat, fokussiert die Diplomarbeit auf die Weiterentwicklung und das Verständnis dieser Methode. Die bisherigen Forschungsergebnisse weisen darauf hin, dass es sich bei dem beobachteten physikalischen Effekt um eine durch den Laser Induzierte Heiße Elektronen Injektion (LIHEI) handelt. Die Einsetzbarkeit der LIHEI ist bisher durch eine minimal erforderliche Leistung der integrierten Spannungspumpen limitiert. Daher bleibt eine Methodenauswahl weiterhin erforderlich. Die Zusammenfassung dieser Arbeit beinhaltet eine Übersicht über alle unter-suchten Methoden, sowie ergänzend eine Methodenübersicht für SRAM-Speicher. Mit Hilfe der aufgeführten Tabellen kann in Zukunft vor einer Bitmap-Verifikation eine geeignete Vorgehensweise ausgewählt werden.
• This thesis investigates methods of labelling Flash cells electronically and physically in CMOS-logic-products. The goal is to verify the translation of logical Flash addresses into their physical chip coordinates (Descrambling). This is a necessary condition in preparation of failure analyses in embedded Flash memories. Existing methods of the descrambling routine verification of Flash memories are neither fast nor effective. An optimisation of the existing and the introduction of additional methods are supposed to contribute to the increase of efficiency of the failure analysis. Additional to the analysis of used physical effects, e.g. thermography, the work resulted in a development of a new method. It is based on programming cells by laser irradiation. The laser programming showed both fast and exact results. Therefore, this thesis focuses on the further development and the understanding of this method. The so far conducted research results indicate that the observed physical effect is a laser induced hot electron injection (LIHEI). The applicability of the LIHEI is hitherto limited because of a required minimum performance of the integrated charge pumps. For that reason, a selection of the used methods is still necessary. The summary of this thesis contains an overview of all the investigated methods, as well as an overview of the methods for SRAM. In future, suitable bitmap verification can be chosen by means of the presented tables.