Verbesserung der Messmittelfähigkeit eines Raster-Elektronen-Mikroskops zur Bestimmung von Strukturbreiten unter Verwendung einer statistischen Versuchsplanung und der Auswertung mittels ANOVA

Improvement of the SEM measurement capability to measure critical dimensions using DOE methods and ANOVA analysis

  • In dieser Arbeit wird gezeigt, dass sich die Messmittelfähigkeit eines Raster-Elektronen-Mikroskops, wie es für die Vermessung von Strukturen auf fotolithografischen Masken verwendet wird, durch eine statistische Versuchsplanung verbessern lässt. Die Messmittelfähigkeit wird dabei in der dreifachen Standardabweichung einer Messreihe ausgedrück. Hierzu wurden vorab Untersuchungen zum Aufnehmen einer Messreihe durchgeführt, die eine objektivere Messreihenaufnahme bescheinigen, wenn die Maske zwischen jeder Messung aus- und wieder eingeschleust wird. In die statistische Versuchsplanung wurden acht Faktoren, sowohl der Bildaufnahme als auch der -verarbeitung, aufgenommen. Ein vollfaktorieller Versuchsplan zeigte eine Krümmung an, die durch eine Respons-Surface-Methode weiter beschrieben wurde. Es ergab sich eine Verbesserung der Messmittelfähigkeit von 0,6nm bei Standardeinstellungen auf unter 0,2nm.
  • In this thesis is shown, that the gauge repeatability of a scanning-electron-microscope, like it's used to measure critical dimensions on photolithographic masks, can be improved by design of experiments. Thereby, the gauge repeatability is expressed by the triple standard deviation of a series of measurements. Preexperiments were done to figure out the best way of gaining a series of measurements, that pointed out to unload and load the mask between each measurement. The designed experiment contains eight factors of scanning as well as image processing. A full-factorial experiment showed a curvature, which has been better descriped by a response-surface-methodology. The result is an improvement from 0.6nm at standard -settings to under 0.2nm with the new settings, founded by the designed experiment.

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Metadaten
Author:Johannes Lachmann
Advisor:Andreas NeidhardtGND, Roman Liebe
Document Type:Diploma Thesis
Language:German
Name:Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG
Postfach 11 01 61, 01330 Dresden
Date of Publication (online):2009/11/19
Year of first Publication:2009
Date of final exam:2009/08/14
Tag:Lithografie; Masken; Messmittelfähigkeit; REM; SEM; Wiederholbarkeit; fotolithografische Masken
Critical Dimension; Design of Experiment
GND Keyword:Versuchsplanung; Rasterelektronenmikroskop
Page Number:68 Seiten, 36 Abb., - Tab., 38 Lit.
Faculty:Westsächsische Hochschule Zwickau / Physikalische Technik, Informatik
Release Date:2009/11/19